【雜志簡(jiǎn)介】

　　《電子工藝技術(shù)》是我國(guó)電子行業(yè)生產(chǎn)技術(shù)綜合性科技期刊，該刊集眾多專(zhuān)業(yè)為一體，突出工藝特色，凡是與電子產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程相關(guān)的技術(shù)，都是該刊的報(bào)道范圍。本刊是信息產(chǎn)業(yè)部?jī)?yōu)秀科技期刊，山西省一級(jí)期刊，全國(guó)電子行業(yè)核心期刊。

　　【收錄情況】

　　國(guó)家新聞出版總署收錄

　　信息產(chǎn)業(yè)部?jī)?yōu)秀科技期刊獎(jiǎng)

　　山西省一級(jí)期刊

　　【欄目設(shè)置】

　　主要欄目：綜述、新工藝新技術(shù)、國(guó)外工藝文獻(xiàn)導(dǎo)讀、市聲信息、國(guó)外工藝文獻(xiàn)導(dǎo)讀、市場(chǎng)信息。

　　雜志優(yōu)秀目錄參考：

　　微系統(tǒng)技術(shù)應(yīng)用前景廣闊--寫(xiě)在《微系統(tǒng)技術(shù)》欄目開(kāi)辟之際 郝繼山

　　微系統(tǒng)功能模塊集成工藝發(fā)展趨勢(shì)及挑戰(zhàn) 劉志輝，吳明遠(yuǎn)，LIU Zhi-hui，WU Ming-yuan

　　系統(tǒng)工程方法論在微系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用探索 金長(zhǎng)林，郝繼山，羅海坤，JIN Chang-lin，HAO Ji-shan，LUO Hai-kun

　　灌封工藝在電連接器尾部加固中的應(yīng)用 王玉龍，石寶松，李靜秋，WANG Yu-long，SHI Bao-hong，LI Jing-qiu

　　飛針測(cè)試在數(shù)字T/R組件檢測(cè)中的應(yīng)用 鄧威，蔣慶磊，劉剛，房迅雷，DENG Wei，JIANG Qing-lei，LIU Gang，F(xiàn)ANG Xun-lei

　　金粉和玻璃粉對(duì)厚膜金導(dǎo)體漿料的性能影響 趙瑩，張建益，陸冬梅，趙科良，孫社稷，ZHAO Ying，ZHANG Jian-yi，LU Dong-mei，ZHAO Ke-liang，SUN She-ji

　　基于Si基芯片的Au/Al鍵合可靠性研究 王慧君，龔冰，崔洪波，WANG Hui-jun，GONG Bing，CUI Hong-bo

　　3 mm 頻段InP HEMT 低噪聲器件研究 廖龍忠，張力江，孫希國(guó)，崔玉興，付興昌，LIAO Long-zhong，ZHANG Li-jiang，SUN Xi-guo，CUI Yu-xing，F(xiàn)U Xing-chang

　　0.25μm高精度T型柵制作工藝研究 孫希國(guó)，崔玉興，付興昌，SUN Xi-guo，CUI Yu-xing，F(xiàn)U Xing-chang

　　微波功率芯片真空焊接工藝研究 羅頭平，寇亞男，崔洪波，LUO Tou-ping，KOU Ya-nan，CUI Hong-bo

　　PCB組件水清洗工藝技術(shù)研究 林小平，付維林，LIN Xiao-ping，F(xiàn)U Wei-lin

　　激光參數(shù)對(duì)鋁硅殼體焊縫形貌和氣密性能影響 王傳偉，雷黨剛，梁寧，胡駿，宋夏，楊靖輝，方坤

　　低溫共燒PZT壓電陶瓷材料的研制 文理，WEN Li

　　中級(jí)工程師職稱(chēng)論文范文：移動(dòng)社交網(wǎng)絡(luò)服務(wù)融合電子商務(wù)的盈利模式分析

　　摘要：社交網(wǎng)絡(luò)是用于服務(wù)用戶(hù)社交功能的網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)。社交網(wǎng)站起源于美國(guó)，典型的代表是臉書(shū)網(wǎng)，聚友網(wǎng)等，在移動(dòng)終端方面還有近兩年來(lái)興起的Instagram，中國(guó)社交網(wǎng)站雖然發(fā)展緩慢，但是隨著人人網(wǎng)和開(kāi)心網(wǎng)的不斷發(fā)展，國(guó)內(nèi)社交網(wǎng)絡(luò)也日益壯大，社交網(wǎng)站由于注冊(cè)人數(shù)和流量多而隱藏著巨大的商業(yè)潛力，但是我國(guó)本土的社交網(wǎng)站缺乏清晰的盈利模式，任何企業(yè)都是以盈利為主要目的，本文將主要通過(guò)分析比對(duì)國(guó)內(nèi)外典型社交網(wǎng)站盈利模式，研究社交網(wǎng)絡(luò)融合電子商務(wù)的應(yīng)用，希望能給中國(guó)移動(dòng)社交網(wǎng)站提供一個(gè)參考。

　　關(guān)鍵詞：移動(dòng)社交網(wǎng)絡(luò),電子商務(wù),盈利模式

　　近幾年，移動(dòng)終端應(yīng)用的發(fā)展速度比作雨后春筍一點(diǎn)都不夸張，各大社交網(wǎng)絡(luò)都相繼開(kāi)展了自己在移動(dòng)終端的市場(chǎng)，不過(guò)是社交網(wǎng)絡(luò)巨大影響力的一個(gè)縮影，我們主要以探索社交網(wǎng)絡(luò)在電子商務(wù)方面的盈利模式為主，社交網(wǎng)絡(luò)讓以人為單位的個(gè)體在互聯(lián)網(wǎng)有了全新的交流模式，重新定義了社交的含義，它是作為一個(gè)社交平臺(tái)而出現(xiàn)的，但同時(shí)它更是一個(gè)賺錢(qián)的企業(yè)，除了較大的社交網(wǎng)絡(luò)，很多社交網(wǎng)站都沒(méi)有生存下來(lái)，那么目前社交網(wǎng)絡(luò)主要的盈利模式主要有哪些呢?如何結(jié)合移動(dòng)設(shè)備終端，利用自己的社交網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)勢(shì)，結(jié)合電子商務(wù)來(lái)進(jìn)行企業(yè)的盈利模式使我們分析的問(wèn)題。

　　電子工藝技術(shù)最新期刊目錄

碳納米管基電極材料的快速制備工藝

摘要：碳納米管(CNTs)因其高導(dǎo)電性，常被應(yīng)用于軌道交通的導(dǎo)電、結(jié)構(gòu)材料。聚吡咯(PPy)電導(dǎo)率較好，但穩(wěn)定性較差。考慮加入雜多酸與PPy@CNTs形成三組分復(fù)合材料，用于超級(jí)電容器。因此采用原位聚合法合成磷鉬酸/聚吡咯@碳納米管作為電極材料，探究不同含量的聚吡咯、磷鉬酸對(duì)復(fù)合材料的影響及其對(duì)電容行為的貢獻(xiàn)。詳細(xì)的結(jié)構(gòu)表征和電化學(xué)測(cè)試表明，PMo/PPy@CNTs的電化學(xué)儲(chǔ)能性能明顯優(yōu)于單獨(dú)的碳納米管...

SiC PECVD晶圓柔性機(jī)械抓手創(chuàng)新設(shè)計(jì)與分析

摘要：針對(duì)上一代 SiC PECVD 晶圓抓取機(jī)械手結(jié)構(gòu)復(fù)雜、真空密封性差、不能預(yù)防碰撞的問(wèn)題，創(chuàng)新設(shè)計(jì)了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、性能穩(wěn)定的柔性機(jī)械抓手機(jī)構(gòu)。通過(guò)電機(jī)驅(qū)動(dòng)內(nèi)部磁環(huán)、內(nèi)外磁環(huán)柔性耦合的連接方式，實(shí)現(xiàn)機(jī)械手臂的伸縮和旋轉(zhuǎn)。利用軟件創(chuàng)建晶圓抓取機(jī)械手的三維模型以及運(yùn)動(dòng)仿真，得到了抓取機(jī)械手的運(yùn)動(dòng)學(xué)特性以及抓取軌跡。實(shí)際測(cè)試該機(jī)械手的抓取性能，測(cè)試結(jié)果表明：該晶圓抓取機(jī)械手設(shè)計(jì)合理、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、運(yùn)行穩(wěn)定、密...

基于工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的SMT車(chē)間數(shù)字化解決方案

摘要：數(shù)字化是現(xiàn)代智能制造的重要標(biāo)簽，也是生產(chǎn)效率和管理標(biāo)準(zhǔn)化提升的有效手段�；�于工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)，針對(duì)某公司SMT車(chē)間的實(shí)際情況，闡述了一種包含了眾多模塊的數(shù)字化解決方案。該方案實(shí)現(xiàn)了SMT車(chē)間全流程可視化管理的同時(shí)，也可以輔助生產(chǎn)單位及時(shí)獲取生產(chǎn)執(zhí)行進(jìn)度，進(jìn)行精益生產(chǎn)管理，有效管控產(chǎn)品品質(zhì)。該方案通過(guò)過(guò)程管控、放錯(cuò)預(yù)警、輔助決策員工動(dòng)作，可以有效提升生產(chǎn)效率，保證工廠(chǎng)高端精密制造的質(zhì)量，助力設(shè)備管理提效，...

毫米波平板式陣列發(fā)射前端的設(shè)計(jì)

摘要：平板式陣列發(fā)射前端主要是采用高密度復(fù)合基板和SiP器件等方式，實(shí)現(xiàn)相控陣射頻前端的一體化高密度集成，是一種新集成形態(tài)的微波集成產(chǎn)品。由于采用平板式集成架構(gòu)，有效減小相控陣陣列的剖面高度，實(shí)現(xiàn)了相控陣的低剖面化，主要應(yīng)用于對(duì)于陣列體積、物體質(zhì)量等有嚴(yán)苛要求的新型電子系統(tǒng)。毫米波相控陣由于工作頻段高，相控陣陣元間距小，采用平板式集成難度大，以K波段平板式陣列射頻前端為例，對(duì)此類(lèi)新形態(tài)微波集成產(chǎn)品的實(shí)現(xiàn)...

大尺寸顯示面板精密切割關(guān)鍵技術(shù)

摘要：聚焦于大尺寸顯示面板精密切割技術(shù)，針對(duì)高世代生產(chǎn)線(xiàn)中大尺寸面板的切割需求，提出了一種新型對(duì)刀切割技術(shù)。該技術(shù)通過(guò)雙刀輪同時(shí)切割TFT和CF雙層玻璃，解決了傳統(tǒng)切割方式中因翻轉(zhuǎn)導(dǎo)致的面板破碎問(wèn)題。同時(shí)，引入AOI檢測(cè)技術(shù)，利用GAN網(wǎng)絡(luò)、Diffusion Model與EfficientDet檢測(cè)模型的融合算法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)切割后缺陷的高精度實(shí)時(shí)檢測(cè)。試驗(yàn)驗(yàn)證表明，所提出的對(duì)刀切割技術(shù)能夠有效減少切割缺...

邦定設(shè)備電機(jī)軸定位程序優(yōu)化

摘要：針對(duì)邦定設(shè)備電機(jī)軸定位程序復(fù)雜、開(kāi)發(fā)工作量大的問(wèn)題，提出了一種基于通用軸控底層的優(yōu)化方案。該方案通過(guò)抽象化電機(jī)軸的控制邏輯，結(jié)合軟件流程設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了程序的通用化和模塊化，同時(shí)，借助模塊化程序功能，可實(shí)現(xiàn)邦定設(shè)備電機(jī)軸參數(shù)的快速調(diào)整和精度高效精準(zhǔn)補(bǔ)償。優(yōu)化后的程序能夠靈活地適應(yīng)不同數(shù)量和類(lèi)型的電機(jī)軸，較傳統(tǒng)的電機(jī)軸定位實(shí)現(xiàn)方式具有顯著的優(yōu)勢(shì)

平板抽屜式與TANK式除泡工藝及設(shè)備

摘要：除泡機(jī)是使用于液晶顯示生產(chǎn)中的重要設(shè)備，現(xiàn)生產(chǎn)中使用兩種類(lèi)型設(shè)備，分別為平板抽屜式除泡機(jī)和TANK式(罐式)除泡機(jī)。這兩種設(shè)備都是對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行加壓加熱進(jìn)行除泡，只是兩種設(shè)備由于本身結(jié)構(gòu)的不同，對(duì)應(yīng)使用的工藝參數(shù)有所不同。對(duì)兩種設(shè)備進(jìn)行全面對(duì)比，明確其優(yōu)缺點(diǎn)，靈活采用適應(yīng)生產(chǎn)

高深徑比TSV高功率脈沖濺射技術(shù)

摘要：圍繞TSV三維集成微系統(tǒng)的射頻信號(hào)傳輸特性要求，針對(duì)TSV制造中的高深徑比盲孔結(jié)構(gòu)，研究對(duì)比了高功率脈沖磁控濺射與傳統(tǒng)直流濺射工藝的效果。試驗(yàn)結(jié)果表明，通過(guò)提升等離子體離子化效率，高功率脈沖磁控濺射金屬種子層的臺(tái)階覆蓋率顯著提高，尤其在深徑比為10:1的高密度互連穿孔中表現(xiàn)更優(yōu)。驗(yàn)證了HiPIMS在提升TSV濺射沉積質(zhì)量方面的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，有效降低了TSV晶圓種子層金屬厚度，并提供了一種高效、高可靠的...

基于HTCC的高密度SiP基板工藝優(yōu)化

摘要：面向高集成、小型化SiP的應(yīng)用中對(duì)高密度封裝基板的高密度、高精度要求，從提高疊片精度和互聯(lián)孔的制作兩個(gè)方面開(kāi)展了基于HTCC的高密度SiP基板的工藝優(yōu)化研究。通過(guò)對(duì)比分析多種貼膜方式，提出預(yù)定位的貼膜方法，實(shí)現(xiàn)了貼膜工步的一次完成。針對(duì)常規(guī)填孔方式容易導(dǎo)致短路的問(wèn)題，提出雙面帶膜的填孔方法，實(shí)現(xiàn)了填孔邊界清晰、填孔高度可控的精密填孔效果，為高密度SiP基板的工程化應(yīng)用打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)

多芯片組件GaAs芯片氫效應(yīng)失效分析及改進(jìn)

摘要：密封組件中GaAs芯片易受氫效應(yīng)影響導(dǎo)致性能退化。研究表明GaAs芯片有多種失效模式，且失效速率和氫含量、工作時(shí)間及溫度強(qiáng)相關(guān)，依賴(lài)關(guān)系服從經(jīng)驗(yàn)公式，因此氫效應(yīng)控制方法和工藝應(yīng)結(jié)合其具體工作狀態(tài)來(lái)確定。通過(guò)分析GaAs器件中的典型氫效應(yīng)失效現(xiàn)象和特征，探究其失效模式及機(jī)理，研究氫的來(lái)源、組件析氫及消耗機(jī)理。可從原材料選型、芯片制作工藝優(yōu)化和電路或封裝設(shè)計(jì)改進(jìn)三方面控制氫效應(yīng)，組件氫效應(yīng)失效率降低了...

LTCC銀漿電遷移特性的抑制方法

摘要：在LTCC基板制造過(guò)程中，通過(guò)提高銀導(dǎo)體漿料的使用比例，實(shí)現(xiàn)降低制造成本的目的，同時(shí)為了保證產(chǎn)品的可靠性，需對(duì)銀元素遷移特性進(jìn)行研究。針對(duì)LTCC基板特定結(jié)構(gòu)進(jìn)行不同條件下的加電使用驗(yàn)證，測(cè)量其漏電流失效壽命，找出影響發(fā)生銀元素電遷移的關(guān)鍵。提高封裝密封性、充入保護(hù)氣(減少氧分壓)、降低使用電壓、增加介質(zhì)厚度以及降低使用溫度，可有效抑制銀元素電遷移的發(fā)生，達(dá)到保證可靠性的目的

QFN器件側(cè)焊盤(pán)預(yù)處理方法

摘要：針對(duì)QFN側(cè)焊盤(pán)氧化導(dǎo)致的上錫不良問(wèn)題，開(kāi)展了對(duì)電烙鐵搪錫、酸洗處理和助焊劑清洗3種預(yù)處理方法的對(duì)比研究。最終，選定助焊劑回流清洗方法作為實(shí)際生產(chǎn)方案，所貼裝QFN器件實(shí)現(xiàn)了較好的爬錫效果，為QFN器件的高可靠應(yīng)用提供了參考依據(jù)

產(chǎn)品印制板可裝配性工藝設(shè)計(jì)及評(píng)價(jià)分析

摘要：為解決產(chǎn)品印制板檢驗(yàn)合格后無(wú)法進(jìn)行安裝調(diào)試的問(wèn)題，開(kāi)展了印制板可裝配性工藝設(shè)計(jì)。以某產(chǎn)品控制板為例，給出了控制板布局可裝配性設(shè)計(jì)規(guī)則值，重新對(duì)控制板焊裝和PCB布局工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)，并對(duì)此工藝設(shè)計(jì)方案進(jìn)行可裝配性評(píng)價(jià)及分析。結(jié)果表明，忽略裝配環(huán)境結(jié)構(gòu)尺寸對(duì)產(chǎn)品印制板工藝設(shè)計(jì)的影響，印制板焊裝工藝很有可能無(wú)法指導(dǎo)現(xiàn)場(chǎng)生產(chǎn)順利進(jìn)行，批生產(chǎn)過(guò)程中才發(fā)現(xiàn)PCB布局設(shè)計(jì)錯(cuò)誤，需要重新研發(fā)和生產(chǎn)的幾率很大，現(xiàn)有的...

8英寸碳化硅感應(yīng)式生長(zhǎng)熱場(chǎng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)

摘要：8英寸碳化硅生長(zhǎng)技術(shù)相較于6英寸的，更大的生長(zhǎng)直徑對(duì)生長(zhǎng)熱場(chǎng)提出更高的要求，因氣流貼近坩堝壁面上升的形式不變但中部更容易過(guò)冷。借助數(shù)值模擬工具，建立了適合8英寸碳化硅生長(zhǎng)的感應(yīng)式熱場(chǎng)，并重點(diǎn)探究了與一般設(shè)計(jì)的不同之處，介紹了所述設(shè)計(jì)對(duì)優(yōu)化溫度分布的作用，優(yōu)化了單晶的生長(zhǎng)狀況

碳化硅SBD離子注入掩蔽層刻蝕工藝

摘要：離子注入是芯片生產(chǎn)中的關(guān)鍵工藝之一，離子注入掩蔽層刻蝕工藝是影響芯片摻雜性能的重要因素。光刻工藝與刻蝕工藝相結(jié)合可實(shí)現(xiàn)離子注入掩蔽層圖形化精細(xì)加工工藝。介紹了光刻工藝原理及流程，確定了光刻曝光時(shí)間及焦距條件參數(shù)。對(duì)刻蝕工藝原理及分類(lèi)進(jìn)行了論述，在溫度、時(shí)間、射頻功率及腔體壓力等刻蝕參數(shù)一定的情況下，分析了反應(yīng)離子刻蝕的氣體對(duì)掩蔽層刻蝕速率及均勻性的影響

分子束外延裝備冷屏掛耳結(jié)構(gòu)分析與優(yōu)化

摘要：分子束外延裝備主要用于化合物半導(dǎo)體外延材料生長(zhǎng)，在固態(tài)微波射頻器件、半導(dǎo)體激光器、探測(cè)器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。研究了大尺寸分子束外延裝備零部件的結(jié)構(gòu)行為，優(yōu)化設(shè)計(jì)方案，驗(yàn)證安全性和可靠性。采用仿真軟件對(duì)腔體冷屏進(jìn)行了承重力學(xué)分析，得到腔體冷屏的主要受力點(diǎn)。根據(jù)受力點(diǎn)，優(yōu)化了掛耳結(jié)構(gòu)，并對(duì)優(yōu)化后的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。將優(yōu)化后的掛耳結(jié)構(gòu)應(yīng)用到實(shí)際工況，進(jìn)行樣機(jī)驗(yàn)證。結(jié)果表明：無(wú)論在那種質(zhì)量情況下，優(yōu)化...

高品質(zhì)碳化硅單晶制備技術(shù)

摘要：闡述了高品質(zhì)碳化硅單晶制備技術(shù)的研究進(jìn)展。介紹了SiC材料的優(yōu)異特性及其在眾多領(lǐng)域的重要應(yīng)用價(jià)值，凸顯高品質(zhì)SiC單晶制備的必要性。探討了目前主流的SiC單晶制備方法物理氣相傳輸法(PVT)，分析了其生長(zhǎng)原理與工藝過(guò)程。重點(diǎn)介紹了影響SiC單晶品質(zhì)關(guān)鍵技術(shù)要點(diǎn)，如石墨材料純度、籽晶面選擇、偏軸籽晶的使用、籽晶粘接工藝、長(zhǎng)晶界面的穩(wěn)定，并對(duì)碳化硅長(zhǎng)晶關(guān)鍵技術(shù)行了詳細(xì)的研究，包括溫場(chǎng)分布、碳化硅粉料摻...

薄介質(zhì)MLCC的一種常見(jiàn)缺陷及其制備工藝優(yōu)化

摘要：MLCC在實(shí)際使用中發(fā)生的失效，除了常見(jiàn)的電應(yīng)力失效之外，大部分情況是MLCC自身存在缺陷。其中薄介質(zhì)MLCC的內(nèi)電極堆積為影響其可靠性的常見(jiàn)問(wèn)題，多為生產(chǎn)制程和過(guò)程管控不穩(wěn)定導(dǎo)致出現(xiàn)部分內(nèi)電極層堆積，引起電極的絕緣下降，影響了產(chǎn)品的可靠性能。對(duì)薄介質(zhì)MLCC常見(jiàn)的內(nèi)電極堆積問(wèn)題和多層陶瓷電容器制備工藝深入開(kāi)展了討論與分析，并提出了相應(yīng)的改善方案和預(yù)防措施

梯度材料殼體封裝連接器失效分析與優(yōu)化

摘要：針對(duì)某微矩形多芯連接器在功能梯度鋁基復(fù)合材料殼體上封裝后出現(xiàn)的氣密性失效問(wèn)題，利用有限元方法開(kāi)展熱應(yīng)力仿真分析，發(fā)現(xiàn)在焊接降溫過(guò)程中因熱膨脹系數(shù)差異，硅/鋁調(diào)節(jié)體將來(lái)自鋁合金主體的橫向壓應(yīng)力傳遞至玻珠，玻珠在橫向壓應(yīng)力作用下擠壓變形導(dǎo)致縱向拉應(yīng)力超過(guò)玻璃抗拉強(qiáng)度，帶來(lái)的熱應(yīng)力超出了玻珠抗拉強(qiáng)度，發(fā)生斷裂裂紋。設(shè)計(jì)了一種對(duì)穿式梯度硅鋁調(diào)節(jié)體布置方式，并通過(guò)仿真進(jìn)行評(píng)價(jià)分析，結(jié)果表明在同等截面積下對(duì)穿...

共形可承載天線(xiàn)高精度圖形打印工藝

摘要：基于飛行器結(jié)構(gòu)/功能一體化需求，開(kāi)展共形可承載天線(xiàn)陣面高精度圖形打印工藝研究。采用S6W100A/AC319玻纖織物預(yù)浸料熱壓罐工藝制作共形可承載天線(xiàn)的基材；通過(guò)金屬化轉(zhuǎn)移膜涂層技術(shù)將模具上3D打印的陣列圖形轉(zhuǎn)移到復(fù)合材料基材表面的方式，實(shí)現(xiàn)曲面復(fù)合材料內(nèi)表面的高精度陣列圖形制作；通過(guò)優(yōu)化壓電噴墨打印參數(shù)及打印路徑，實(shí)現(xiàn)3D打印頻率選擇圖形精度的精確控制；通過(guò)對(duì)復(fù)合材料基材表面物理處理，增強(qiáng)了3D...

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