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電子工藝技術(shù)
關(guān)注()【雜志簡介】
《電子工藝技術(shù)》是我國電子行業(yè)生產(chǎn)技術(shù)綜合性科技期刊,該刊集眾多專業(yè)為一體,突出工藝特色,凡是與電子產(chǎn)品生產(chǎn)過程相關(guān)的技術(shù),都是該刊的報道范圍。本刊是信息產(chǎn)業(yè)部優(yōu)秀科技期刊,山西省一級期刊,全國電子行業(yè)核心期刊。
【收錄情況】
國家新聞出版總署收錄
信息產(chǎn)業(yè)部優(yōu)秀科技期刊獎
山西省一級期刊
【欄目設(shè)置】
主要欄目:綜述、新工藝新技術(shù)、國外工藝文獻導(dǎo)讀、市聲信息、國外工藝文獻導(dǎo)讀、市場信息。
雜志優(yōu)秀目錄參考:
微系統(tǒng)技術(shù)應(yīng)用前景廣闊--寫在《微系統(tǒng)技術(shù)》欄目開辟之際 郝繼山
微系統(tǒng)功能模塊集成工藝發(fā)展趨勢及挑戰(zhàn) 劉志輝,吳明遠,LIU Zhi-hui,WU Ming-yuan
系統(tǒng)工程方法論在微系統(tǒng)設(shè)計中的應(yīng)用探索 金長林,郝繼山,羅海坤,JIN Chang-lin,HAO Ji-shan,LUO Hai-kun
灌封工藝在電連接器尾部加固中的應(yīng)用 王玉龍,石寶松,李靜秋,WANG Yu-long,SHI Bao-hong,LI Jing-qiu
飛針測試在數(shù)字T/R組件檢測中的應(yīng)用 鄧威,蔣慶磊,劉剛,房迅雷,DENG Wei,JIANG Qing-lei,LIU Gang,F(xiàn)ANG Xun-lei
金粉和玻璃粉對厚膜金導(dǎo)體漿料的性能影響 趙瑩,張建益,陸冬梅,趙科良,孫社稷,ZHAO Ying,ZHANG Jian-yi,LU Dong-mei,ZHAO Ke-liang,SUN She-ji
基于Si基芯片的Au/Al鍵合可靠性研究 王慧君,龔冰,崔洪波,WANG Hui-jun,GONG Bing,CUI Hong-bo
3 mm 頻段InP HEMT 低噪聲器件研究 廖龍忠,張力江,孫希國,崔玉興,付興昌,LIAO Long-zhong,ZHANG Li-jiang,SUN Xi-guo,CUI Yu-xing,F(xiàn)U Xing-chang
0.25μm高精度T型柵制作工藝研究 孫希國,崔玉興,付興昌,SUN Xi-guo,CUI Yu-xing,F(xiàn)U Xing-chang
微波功率芯片真空焊接工藝研究 羅頭平,寇亞男,崔洪波,LUO Tou-ping,KOU Ya-nan,CUI Hong-bo
PCB組件水清洗工藝技術(shù)研究 林小平,付維林,LIN Xiao-ping,F(xiàn)U Wei-lin
激光參數(shù)對鋁硅殼體焊縫形貌和氣密性能影響 王傳偉,雷黨剛,梁寧,胡駿,宋夏,楊靖輝,方坤
低溫共燒PZT壓電陶瓷材料的研制 文理,WEN Li
中級工程師職稱論文范文:移動社交網(wǎng)絡(luò)服務(wù)融合電子商務(wù)的盈利模式分析
摘要:社交網(wǎng)絡(luò)是用于服務(wù)用戶社交功能的網(wǎng)絡(luò)平臺。社交網(wǎng)站起源于美國,典型的代表是臉書網(wǎng),聚友網(wǎng)等,在移動終端方面還有近兩年來興起的Instagram,中國社交網(wǎng)站雖然發(fā)展緩慢,但是隨著人人網(wǎng)和開心網(wǎng)的不斷發(fā)展,國內(nèi)社交網(wǎng)絡(luò)也日益壯大,社交網(wǎng)站由于注冊人數(shù)和流量多而隱藏著巨大的商業(yè)潛力,但是我國本土的社交網(wǎng)站缺乏清晰的盈利模式,任何企業(yè)都是以盈利為主要目的,本文將主要通過分析比對國內(nèi)外典型社交網(wǎng)站盈利模式,研究社交網(wǎng)絡(luò)融合電子商務(wù)的應(yīng)用,希望能給中國移動社交網(wǎng)站提供一個參考。
關(guān)鍵詞:移動社交網(wǎng)絡(luò),電子商務(wù),盈利模式
近幾年,移動終端應(yīng)用的發(fā)展速度比作雨后春筍一點都不夸張,各大社交網(wǎng)絡(luò)都相繼開展了自己在移動終端的市場,不過是社交網(wǎng)絡(luò)巨大影響力的一個縮影,我們主要以探索社交網(wǎng)絡(luò)在電子商務(wù)方面的盈利模式為主,社交網(wǎng)絡(luò)讓以人為單位的個體在互聯(lián)網(wǎng)有了全新的交流模式,重新定義了社交的含義,它是作為一個社交平臺而出現(xiàn)的,但同時它更是一個賺錢的企業(yè),除了較大的社交網(wǎng)絡(luò),很多社交網(wǎng)站都沒有生存下來,那么目前社交網(wǎng)絡(luò)主要的盈利模式主要有哪些呢?如何結(jié)合移動設(shè)備終端,利用自己的社交網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)勢,結(jié)合電子商務(wù)來進行企業(yè)的盈利模式使我們分析的問題。
電子工藝技術(shù)最新期刊目錄
MEMS慣性器件金屬壓點工藝優(yōu)化
摘要:在加速度計和陀螺儀等MEMS慣性器件中,金屬材料的選擇直接決定了器件的性能、可靠性和成本。這一類器件對金屬材料的主要要求是低應(yīng)力、高導(dǎo)電性、可加工性以及長期穩(wěn)定性。根據(jù)產(chǎn)線的布局特點和已有經(jīng)驗,主要以Au的金屬體系,底層搭配Ti/W金屬作為黏附層和阻擋層,采用濺射工藝進行加工。主要研究不同濺射工藝條件對金屬應(yīng)力的影響、接觸電阻的穩(wěn)定性、金屬阻擋性能的測試和優(yōu)化,以及金屬黏附性的提升
人工智能賦能電子封裝技術(shù)的應(yīng)用
摘要:人工智能(Artificial Intelligence,AI)技術(shù)推動電子封裝技術(shù)由經(jīng)驗范式向數(shù)智范式的躍遷性發(fā)展。綜述了AI在電子封裝設(shè)計優(yōu)化、缺陷檢測、視覺定位與生產(chǎn)調(diào)度等方向的重點應(yīng)用進展。基于YOLOv10設(shè)計一種印制電路板(Printed Circuit Board,PCB)缺陷檢測與智能識別模型,通過數(shù)據(jù)增強與模型的參數(shù)優(yōu)化最終實現(xiàn):平均精確率為0.977,正樣本預(yù)測準確率/召回率為...
低應(yīng)力SiN在GaN射頻器件中的應(yīng)用及制備
摘要:氮化硅薄膜具有高介電常數(shù)、高致密度以及應(yīng)力可調(diào)的特性,常在氮化鎵射頻器件中作為鈍化層、柵介質(zhì)層以及高溫退火保護層。為防止薄膜產(chǎn)生裂紋并對器件特性產(chǎn)生不良影響,需制備低應(yīng)力的氮化硅介質(zhì)層。綜述了常見的低應(yīng)力氮化硅薄膜的制備方法,重點介紹了LPCVD工藝以及對立式LPCVD設(shè)備的特殊要求
拉曼光譜測試碳化硅晶體和晶片電阻率
摘要:通過將碳化硅樣品劃分網(wǎng)格,使用拉曼光譜測試樣品的ΔLOPC,使用渦流法電阻率檢測儀測試樣品電阻率,建立了碳化硅晶體/晶片ΔLOPC、電阻率、載流子濃度之間的擬合換算關(guān)系,并制定了測試點位分布規(guī)則,在兼顧測試準確性的同時最大化提高測試速度,提高測試效率,保證產(chǎn)品流轉(zhuǎn)效率。使用拉曼光譜可同時實現(xiàn)碳化硅晶型、電阻率、載流子濃度等性能指標的測試。相比各項指標分開...
高導(dǎo)熱Mo65Cu35外殼應(yīng)用與熱管理分析
摘要:針對高功率密度混合集成DC/DC變換器的散熱瓶頸,開發(fā)并驗證了一種基于高導(dǎo)熱Mo65Cu35合金與無氧銅環(huán)應(yīng)力緩沖層的創(chuàng)新金屬封裝外殼。該設(shè)計通過引入無氧銅環(huán)框,成功解決了Mo65Cu35底座與FeNi可伐側(cè)壁間的熱膨脹系數(shù)失配難題,實現(xiàn)了平整度優(yōu)于0.10 mm的高可靠氣密封裝。在120 W功率DC/DC變換器模塊中的熱試驗與仿真結(jié)果表明,該外殼能顯著提升熱管理效能:使內(nèi)部變壓器最高溫度降低約1...
鋁硼硅系TGV玻璃基板表面狀態(tài)及其形成機制
摘要:基于AF32鋁硼硅系玻璃基板,研究了激光誘導(dǎo)和腐蝕工藝對TGV玻璃基板表面狀態(tài)的影響及其形成機制。結(jié)果表明,單一氫氟酸腐蝕體系易導(dǎo)致硅醇和二氧化硅等反應(yīng)產(chǎn)物附著在玻璃表面,形成霧狀層,惡化基板透光度和面粗糙度,顯著影響后續(xù)裝配過程中的機器視覺定位和膜層附著力。通過引入硝酸作為改性劑,可以強化氟離子的配位能力,抑制四氟化硅的歧化反應(yīng),并增加分子態(tài)HF的濃度,實現(xiàn)對沉淀的高效溶解,避免在表面聚集。最終...
微波毫米波S參數(shù)探針臺測試環(huán)境構(gòu)建方法
摘要:在微波毫米波電子系統(tǒng)日益復(fù)雜精密的背景下,與之相匹配的測試技術(shù)顯得尤為關(guān)鍵。詳細分析了場地環(huán)境、測試路徑構(gòu)建、測試附件選擇、校準和下針位置等技術(shù)要素影響,闡明了微波毫米波S參數(shù)探針臺測試環(huán)境的構(gòu)建方法,并進行了測試驗證。驗證結(jié)果證實,提出的探針臺測試環(huán)境構(gòu)建策略不僅切實可行,而且能夠確保測試結(jié)果的準確、穩(wěn)定、可靠
面向SiP應(yīng)用的高密度基板薄膜多層布線技術(shù)
摘要:針對陶瓷封裝基板集成度提升過程中布線密度不足的核心瓶頸,開展薄膜多層布線關(guān)鍵工藝參數(shù)優(yōu)化研究。系統(tǒng)研究了介質(zhì)層旋涂工藝、介質(zhì)層固化工藝、介質(zhì)層平坦化工藝和層間互連孔制備工藝參數(shù),確定了陶瓷基板表面介質(zhì)層制備和層間互連孔制備的最優(yōu)工藝參數(shù),實現(xiàn)了最小線寬20 μm、層間互連孔徑≤30 μm、3層金屬3層介質(zhì)的高密度陶瓷封裝基板制備,有效提升了陶瓷封裝基板的布線密度和集成度,滿足了SiP異構(gòu)集成的應(yīng)用...
電子電路增材制造技術(shù)及在共形電路中的應(yīng)用
摘要:論述了材料擠出成型、材料噴射成型以及激光誘導(dǎo)成型3種電子電路增材制造技術(shù)特點及其在共形電路中的研究發(fā)展現(xiàn)狀。以噴墨打印制備多層共形天線輻射電路為例,展示了噴墨打印技術(shù)在多層曲面共形電路制造中的高精度、共形化、集成化制造優(yōu)勢,并通過測試驗證了電路樣件的工藝和性能指標。展望未來,隨著新材料、新設(shè)備、新工藝的研發(fā),電子電路增材制造技術(shù)將在共形電路制造領(lǐng)域發(fā)揮越來越重要的作用,推動電子行業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展
面向CoC工藝的共晶貼片機設(shè)計與工程化應(yīng)用
摘要:為提升國產(chǎn)設(shè)備自主可控水平,針對光通信領(lǐng)域CoC工藝對高精度、高可靠性的需求,系統(tǒng)闡述了該共晶貼片機的結(jié)構(gòu)、電氣控制系統(tǒng)、工藝流程設(shè)計及工程化應(yīng)用效果,為國產(chǎn)微電子封裝設(shè)備的技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用提供關(guān)鍵支撐
基于膠體黏度時變模型與視覺檢測的點膠控制
摘要:自動點膠機憑借其顯著的高一致性、高精度和高效率優(yōu)勢,成為電路片、芯片等元器件粘接工藝中的關(guān)鍵設(shè)備。然而在實際生產(chǎn)過程中,膠體物理特性如黏度隨時間的動態(tài)變化會引起單位時間出膠量的波動,這對點膠精度和工藝穩(wěn)定性構(gòu)成了挑戰(zhàn)。對此,深入研究了膠體黏度隨時間的演變規(guī)律,創(chuàng)新性地構(gòu)建了基于黏度-氣壓略補償和視覺檢測細補償?shù)碾p重補償機制。結(jié)果表明該機制使膠點尺寸精度較傳統(tǒng)工藝提升了約7.2倍,24 h內(nèi)的最小尺...
HTCC/LTCC生瓷片覆膜精度的提升方法
摘要:針對生瓷片覆膜過程中因膜帶張力波動導(dǎo)致的精度不足問題,通過建立收放膜軸與拉膜伺服系統(tǒng)的線速度耦合模型,推導(dǎo)出膜卷半徑隨時間變化的動態(tài)方程,并結(jié)合阿基米德螺旋線假設(shè)構(gòu)建功率自適應(yīng)調(diào)節(jié)算法。在此基礎(chǔ)上,引入高精度張力傳感器構(gòu)成閉環(huán)反饋回路,利用PID控制器動態(tài)補償力矩電機輸出功率,實現(xiàn)張力波動抑制。同時,開發(fā)膜帶余量預(yù)測算法,實現(xiàn)生產(chǎn)過程的智能預(yù)警。試驗表明改進后覆膜精度得到有效提升,為高精度電子陶瓷...
電路基板生產(chǎn)車間數(shù)據(jù)采集與監(jiān)控系統(tǒng)
摘要:介紹了電路基板生產(chǎn)車間數(shù)據(jù)采集與監(jiān)控系統(tǒng)的建設(shè)方案和具體實施。電路基板生產(chǎn)車間具有打孔、印刷、AOI等各型設(shè)備,數(shù)據(jù)采集過程采用了通訊協(xié)議獲取、設(shè)備運行日志分析、設(shè)備PLC讀取、加裝傳感器等多種數(shù)據(jù)采集方式,將設(shè)備使用率、工藝參數(shù)等數(shù)據(jù)采集存儲,并利用Grafana數(shù)據(jù)可視化工具實時監(jiān)控設(shè)備狀態(tài),實現(xiàn)以生產(chǎn)數(shù)據(jù)推送MES進行自動登記完工。采集系統(tǒng)建成為車間管理提供了數(shù)字化支持,為類似生產(chǎn)車間數(shù)字化...
磁芯表面織構(gòu)化對CHIP電源模塊的可靠性分析
摘要:在高集成度電源轉(zhuǎn)換器封裝(Converter High Integration Packaging,CHIP)體系中,磁芯與環(huán)氧樹脂基塑封料(Epoxy Molding Compound,EMC)因熱膨脹系數(shù)(CTE)的顯著失配,在封裝后冷卻過程及濕熱環(huán)境下易引發(fā)界面分層、裂縫等可靠性失效問題,嚴重降低產(chǎn)品的服役壽命與電氣性能。聚焦激光粗化磁芯表面改性工藝,從界面結(jié)合機理、力學(xué)性能及可靠性3個維度...
AuSn真空共晶工藝對3D-TCV氣密封裝水汽含量的控制
摘要:氣密封裝內(nèi)部氣氛的水汽含量,對封裝組件內(nèi)部半導(dǎo)體器件和集成電路的電性能和可靠性影響嚴重。從真空烘烤條件、使用氮氣純度和AuSn共晶時氮氣通入總量3個維度,對三維陶瓷氣密封裝基板技術(shù)(3D-TCV)氣密封裝的AuSn真空共晶工藝進行研究,實現(xiàn)了3D-TCV氣密封裝的水汽含量控制,水汽含量小于0.2%,滿足了GJB548C-2021方法1018規(guī)定對封裝組件水汽含量的要求
LPCVD磷摻雜多晶硅及退火工藝
摘要:磷摻雜多晶硅工藝在微機械加工技術(shù)(Micro-Electron-Mechanical System,MEMS)中有廣泛的應(yīng)用。磷摻雜多晶硅工藝一般采用低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)的方式進行生長,通過調(diào)整生長溫度、氣體流量、退火溫度等參數(shù)實現(xiàn)對薄膜性能的調(diào)整。通過開展相關(guān)工藝試驗,研究了磷摻雜多晶硅生長工藝中關(guān)鍵工藝參數(shù)的影響,得到了適用于MEMS技術(shù)應(yīng)用的工藝條件。同時對摻雜多晶硅退火溫度與薄膜...
層壓壓力參數(shù)對HTCC燒結(jié)尺寸收縮率的影響
摘要:針對高溫共燒陶瓷(HTCC)基板制備中尺寸精度控制難題,系統(tǒng)討論了4~28 MPa層壓壓力對Al2O3基HTCC材料燒結(jié)尺寸收縮率的影響規(guī)律。通過等靜壓工藝調(diào)控層壓壓力,結(jié)合金相顯微鏡及CNC影像測量系統(tǒng)對生坯燒結(jié)后尺寸、微觀結(jié)構(gòu)進行表征。試驗結(jié)果表明:當層壓壓力從4 MPa增至28 MPa時,X向、Y向收縮率由16.726%、16.745%降至14.6...
大尺寸鋁合金組件焊接連接器的可靠性設(shè)計
摘要:氣密性連接器因結(jié)構(gòu)特性、焊接溫度梯度的原因,一旦失效將直接造成微波組件報廢處理。主要針對大尺寸鋁合金組件用氣密電連接器在封焊及試驗中出現(xiàn)的氣密失效問題,從材料特性、焊縫結(jié)構(gòu)等方面對受力情況進行分析,并結(jié)合有限元分析模型仿真進行驗證,從而探尋氣密失效的主要原因和機理。通過仿真驗證和方案實施,總結(jié)提煉大尺寸鋁合金組件用氣密連接器焊接的改進方案。結(jié)果表明:采用補償墊環(huán)可在一定程度上實現(xiàn)梯度應(yīng)力緩降,大大...
石墨烯基散熱材料在雷達上的應(yīng)用現(xiàn)狀與前景
摘要:石墨烯有著極高的本征熱導(dǎo)率、輕質(zhì)性和良好的柔韌性,成為解決雷達散熱難題的關(guān)鍵材料。描述了石墨烯散熱片、導(dǎo)熱墊等材料相較于傳統(tǒng)導(dǎo)熱硅脂、導(dǎo)熱襯墊及液冷/風(fēng)冷技術(shù)的性能優(yōu)勢。通過詳實的數(shù)據(jù)對比,分析了石墨烯材料在雷達T/R組件、天線陣面等核心部位的應(yīng)用現(xiàn)狀,并深入探討了在導(dǎo)熱涂料、復(fù)合材料制備及安裝工藝方面的最新進展。對未來石墨烯散熱材料在雷達領(lǐng)域的發(fā)展方向,包括大規(guī)模低成本制備、與液冷的融合應(yīng)用以及...
面向微系統(tǒng)集成的寬帶射頻芯片倒裝設(shè)計技術(shù)
摘要:面向微系統(tǒng)集成的高密度、低剖面需求,針對射頻芯片倒裝帶來的工作環(huán)境改變研究了芯片倒裝的性能變化機理,選取了2~18 GHz功分器作為典型應(yīng)用,基于元件性能變化進行電路的調(diào)整設(shè)計研制出正裝、倒裝產(chǎn)品。采用LTCC/D基板集成后完成對比測試,驗證了在同樣的版圖尺寸下,倒裝射頻芯片可達到和傳統(tǒng)正裝芯片等效的寬帶性能,為寬帶射頻芯片的倒裝應(yīng)用打下基礎(chǔ)。最后提出了射頻芯片倒裝技術(shù)全面推廣應(yīng)用仍面臨的挑戰(zhàn)和攻...
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