【雜志簡介】

　　《固體電子學研究與進展》是南京電子器件研究所主辦的全國性學術(shù)期刊(雙月刊)，向國內(nèi)外公開發(fā)行。辦刊宗旨是面向21世紀固體物理和微電子學領(lǐng)域的創(chuàng)新性學術(shù)研究。刊登的內(nèi)容為：無機和有機固體物理、硅微電子、射頻器件和微波集成電路、微機電系統(tǒng)(MEMS)、納米技術(shù)、固體光電和電光轉(zhuǎn)換、有機發(fā)光器件(OLED)和有機微電子技術(shù)、高溫微電子以及各種固體電子器件等方面的創(chuàng)新性科學技術(shù)報告和學術(shù)論文，論文和研究報告反映國家固體電子學方面的科技水平。

　　在科技期刊評審中，《固體電子學研究與進展》多次獲得部屬電子優(yōu)秀期刊獎，獲江蘇省第一屆、第二屆、第三屆、第四屆優(yōu)秀期刊獎和第二屆華東地區(qū)優(yōu)秀期刊獎。

　　1992年、1996年、2000年、2004年和2008年五度被《中文核心期刊要目總覽》列為相關(guān)專業(yè)的中文核心期刊，被中國科學院文獻情報中心列為科技核心期刊。

　　本刊已列為國家科技部中國科技論文統(tǒng)計源期刊，被認定為《中國科學引文數(shù)據(jù)庫》來源期刊、《中國學術(shù)期刊綜合評介數(shù)據(jù)庫》全文收錄期刊，已載入《電子科技文獻數(shù)據(jù)庫》和《中國工程技術(shù)電子信息網(wǎng)》，已被《中國學術(shù)期刊(光盤)》和《中國期刊網(wǎng)》全文收錄，已進入萬方數(shù)據(jù)資源系統(tǒng)ChianInfo數(shù)字化期刊群。

　　【收錄情況】

　　國家新聞出版總署收錄

　　信息產(chǎn)業(yè)部2001-2002年優(yōu)秀期刊

　　中國期刊方陣“雙效”期刊

　　江蘇省第六屆優(yōu)秀期刊

　　國外數(shù)據(jù)庫收錄：美國化學文摘

　　【欄目設(shè)置】

　　設(shè)有“學術(shù)論文”、“研究報告”、“研究簡訊”、“會議報道”等欄目。

　　雜志優(yōu)秀目錄參考：

　　1 氧等離子體處理對薄勢壘增強型AlGaN/GaN HEMT的影響 王哲力;周建軍;孔月嬋;孔岑;董遜;楊洋;陳堂勝; 307-310+345

　　2 短溝道三材料柱狀圍柵MOSFET的解析模型 趙青云;于寶旗;蘇麗娜;顧曉峰; 311-316+365

　　3 柱形量子點中量子比特的消相干時間 姜福仕;李巖; 317-320

　　4 S波段280W GaN內(nèi)匹配功率管的設(shè)計與實現(xiàn) 姚實;唐世軍;任春江;錢峰; 321-324+391

　　5 L波段高增益功放模塊設(shè)計 楊斌;林川;高群; 325-328

　　6 應用于IEEE 802.11 ac的高線性InGaP/GaAs HBT功率放大器 鄭耀華;鄭瑞青;林俊明;陳思弟;章國豪; 329-333

　　7 基于HBT工藝的北斗手持終端功率放大器設(shè)計 陳思弟;鄭耀華;章國豪; 334-339

　　8 5.8～6.2GHz高效率InGaP/GaAs HBT J類功率放大器 鄭瑞青;鄭耀華;章國豪; 340-345

　　9 WIFI用砷化鎵多功能收發(fā)芯片設(shè)計與實現(xiàn) 李娜;葉建軍;楊磊; 346-351

　　10 一種高集成射頻接收前端 黃貞松;宋艷;許慶;楊磊; 352-356

　　11 X波段8路波導功分器/合成器 周巧儀;崔富義;馬福軍; 357-359+397

　　12 基于階梯阻抗諧振器的雙頻微帶帶通濾波器設(shè)計 李紫怡;楊維明;朱星宇;彭菊紅;張偉; 360-365

　　13 圖形化襯底對GaN基LED電流與發(fā)光特性的影響 李麗莎;閆大為;管婕;楊國鋒;王福學;肖少慶;顧曉峰; 366-370

　　14 高壓LDMOS擊穿電壓退化機理研究 金鋒;徐向明;寧開明;錢文生;王惠惠;鄧彤;王鵬飛;張衛(wèi); 371-376

　　15 紅外讀出電路中低功耗列讀出級電路的設(shè)計 沈玲羽;龐屹林;范陽;夏曉娟;吉新村;郭宇鋒; 377-382

　　16 TVS二極管標稱參數(shù)與靜電放電防護能力研究 郭瑤;徐曉英;葉宇輝;高兵生; 383-387

　　17 高平整度GaN HEMT歐姆接觸工藝 陳韜;蔣浩;陳堂勝; 388-391

　　18 蓋板結(jié)構(gòu)對外殼密封可靠性影響的有限元分析 郭懷新;程凱;胡進;王子良; 392-397

　　安全論文發(fā)表：對計算機網(wǎng)絡(luò)的維護及管理的分析

　　【摘要】 隨著信息技術(shù)的發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)的應用已經(jīng)普及到各個階層和各個行業(yè)，這給人們的工作和日常生活帶來了極大的便利，但是同時由于網(wǎng)絡(luò)安全問題的存在也給人們帶來了很多的困擾，這些安全問題主要表現(xiàn)在病毒、木馬以及漏洞攻擊上。本文通過對計算機網(wǎng)絡(luò)中存在的問題進行分析，旨在為網(wǎng)絡(luò)的安全和便利提供一些技術(shù)上的策略。

　　【關(guān)鍵詞】 安全論文發(fā)表,計算機網(wǎng)絡(luò),完全防護,網(wǎng)絡(luò)維護與管理,策略

　　一、計算機網(wǎng)絡(luò)中的問題分析

　　1.1 計算機病毒和木馬

　　計算機病毒和木馬在很多文獻中都分開論述，但是由于其原理基本相同，所以筆者在本文的論述中將其歸為一類。計算機病毒和木馬的傳播過程中有很多類似的地方，但是在破壞性上兩者有較大差別，計算機病毒是特指可以對計算機軟硬件造成損害的一類計算機程序，而木馬則是用來竊取用戶信息的計算機程序。這兩者都是通過網(wǎng)絡(luò)給用戶帶來危害的計算機程序，并且現(xiàn)在計算機技術(shù)飛速發(fā)展，病毒和木馬的變種也越來越多，只有提高自己的網(wǎng)絡(luò)安全意識，才能降低受到危害的風險 [2]。

　　固體電子學研究與進展最新期刊目錄

征稿啟事

摘要：<正>《固體電子學研究與進展》是全國性學術(shù)期刊，向國內(nèi)外公開發(fā)行。辦刊宗旨是面向21世紀固體物理和微電子學領(lǐng)域的創(chuàng)新性研究。征稿主要范圍是：無機和有機固體物理，硅微電子學，射頻器件和微波集成電路，微機電系統(tǒng)（MEMS），納米技術(shù)，固體光電和電光轉(zhuǎn)換器件，有機發(fā)光器件（OLED）和有機微電子技術(shù)，寬禁帶半導體以及各種固體電子器件等方面的創(chuàng)新性科學技術(shù)報告和論文。建議作者在投稿的同時介紹一...

鋁摻雜超寬氧化鎵單晶納米帶及紫外光電特性研究

摘要：在氧化鎵納米帶中進行摻雜可以有效調(diào)控其光電特性，從而拓展材料的應用潛力。基于碳熱還原法制備了寬度最高達到100μm的β-Ga₂O₃納米帶，并通過Al₂O₃中Al元素熱擴散方式實現(xiàn)了β-Ga₂O₃納米帶的Al摻雜，XRD和TEM測試結(jié)果顯示出Al摻雜后納米帶仍然是單晶且...

幾種應變場對金剛石電子結(jié)構(gòu)影響機制的第一性原理研究

摘要：近年來，研究發(fā)現(xiàn)應變工程可以顯著改變金剛石電學特性，這為其在半導體和傳感器等領(lǐng)域的應用提供了新的可能性。基于此，本文利用第一性原理密度泛函理論對幾種不同應變（靜水壓、單軸、雙軸）下金剛石的能帶結(jié)構(gòu)和電子態(tài)密度進行了系統(tǒng)的研究，發(fā)現(xiàn)這三種應變均未改變金剛石間接帶隙半導體特性。靜水壓下，金剛石帶隙隨著壓縮應變的增加而增加，但隨著拉伸應變的增加而減小，帶隙隨應變的變化基本接近線性。單軸應變下，帶隙的變化...

37 W/mm高功率密度GaN HEMT器件研究

摘要：研究了外延材料結(jié)構(gòu)中緩沖層的變化對AlGaN/GaN HEMT器件最大功率密度的影響，對比了非摻緩沖層器件與摻Fe緩沖層器件的直流和微波特性。實驗結(jié)果表明非摻緩沖層器件相對摻Fe緩沖層器件表現(xiàn)出更優(yōu)異的跨導，在高漏極電壓下的脈沖測試中電流退化幅度更弱，并且在120 V工作電壓下3 GHz處實現(xiàn)了37 W/mm的最大功率密度

硅基寬帶小型化晶圓級3D異構(gòu)集成開關(guān)交換矩陣

摘要：利用硅基晶圓級3D異構(gòu)集成工藝研制了一種2～18 GHz 4×4寬帶小型化開關(guān)交換矩陣，解決了當前開關(guān)矩陣尺寸大、批次一致性較差、難以批量制作的問題。該器件由7層高阻硅晶圓堆疊形成，內(nèi)部集成了4個硅基MEMS超寬帶功分器、4個SP4T開關(guān)、16個SPST開關(guān)、24個電容及4個譯碼驅(qū)動等芯片，采用TSV（硅通孔）垂直互連，通過晶圓級低溫鍵合工藝，實現(xiàn)了開關(guān)矩陣16個通道射頻信號的靈活交換傳輸。經(jīng)測試...

Ku頻段四波束收發(fā)SiP模塊研制

摘要：提出了一種高集成度的4通道四波束收發(fā)系統(tǒng)級封裝（System-in-package, SiP）模塊。該SiP模塊工作頻率為14.5～16.5 GHz，半雙工工作，內(nèi)部集成發(fā)射功率放大、接收低噪聲信號放大、幅相控制、四波束無源網(wǎng)絡(luò)等功能。使用AlN陶瓷基板配合金屬圍框、蓋板實現(xiàn)良好氣密，并采用雙面開腔方式，實現(xiàn)高密三維集成。為了驗證研究結(jié)果，對該SiP模塊進行了加工、測試，測試結(jié)果表明，在工作頻帶內(nèi)...

基于GaAs工藝的DC～67 GHz寬帶濾波三工器

摘要：隨著無線通信和高速信號處理需求的不斷增長，濾波多工器在現(xiàn)代通信系統(tǒng)中的應用日益重要。為此，基于GaAs工藝，應用ADS平臺設(shè)計了一款工作頻率范圍為DC～67 GHz，三輸入（DC～20 GHz、20～40 GHz和40～67 GHz）單輸出的寬帶濾波三工器，并完成測試。結(jié)果顯示，該器件在目標頻段內(nèi)表現(xiàn)出低插入損耗（<3 dB）、高隔離度（>30 dB）和小尺寸（2.07 mm×1.29...

基于碳納米管微結(jié)構(gòu)的高靈敏低遲滯壓力傳感器

摘要：<正>隨著具身智能機器人技術(shù)迅速發(fā)展,作為環(huán)境感知與交互的關(guān)鍵媒介,類皮膚壓力傳感器的重要性日益顯現(xiàn),其性能決定了機器人的觸覺靈敏度和操作精確度。傳統(tǒng)器件普遍面臨靈敏度不足和遲滯性高等瓶頸。單壁碳納米管材料因其本征高機械強度、高導電性和溶液法大規(guī)模制備等獨特優(yōu)勢,可實現(xiàn)優(yōu)異的應變電學響應,為開發(fā)高性能本征柔性壓力傳感器提供了全新思路

雙頻雙輻射的圓柱狀共形天線

摘要：設(shè)計了一款雙頻雙輻射模式的圓柱狀共形天線，天線由輻射片和金屬銅柱構(gòu)成，整體尺寸為11.2 mm×6.7 mm。圓柱狀共形天線主要工作在1.4 GHz WMTS頻段和2.45 GHz ISM頻段，相應的輻射模式為全向性輻射和法向輻射，且分別用于數(shù)據(jù)遙測功能和無線供電功能。對所提出的天線進行了加工和測試，測試結(jié)果表明天線在1.4 GHz WMTS頻段和2.45 GHz ISM頻段分別獲得了30.1%(...

一種電壓-時間混合域流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器設(shè)計

摘要：設(shè)計了一種100 MHz帶寬、MASH 0-1-1結(jié)構(gòu)的電壓-時間混合域的流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）。提出了一種時間域MASH 1-1結(jié)構(gòu)的時間-數(shù)字轉(zhuǎn)換器（TDC），在保證時間域量化高轉(zhuǎn)換速度（>1 GHz）的同時，通過噪聲整形技術(shù)提升量化精度。此外，改進了傳統(tǒng)電流受限反相器型電壓-時間轉(zhuǎn)換器（CSI VTC），通過引入額外的放電通路消除系統(tǒng)三次非線性，使其無雜散動態(tài)范圍（SFDR）提升7...

一種8位125 MSPS的低功耗流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器

摘要：基于0.18μm CMOS工藝設(shè)計了一種8位125MSPS的流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器（Analog-to-digital converter,ADC）。該電路采用采樣保持電路作為ADC前端采樣網(wǎng)絡(luò)，使用改良后的柵壓自舉開關(guān)來提高輸入采樣線性度。ADC測試結(jié)果表明：在3 V電壓下，采樣率為125 MSPS，輸入信號頻率為41 MHz時，信噪比為48.71 dB，信噪失真比為48.51 dB，無雜散動態(tài)范圍為...

InGaAs復合溝道InP HEMT材料結(jié)構(gòu)設(shè)計及外延生長研究

摘要：采用固態(tài)源分子束外延系統(tǒng)（Solid-source molecular beam epitaxy, SSMBE），研究InP高電子遷移率晶體管（High electron mobility transistor, HEMT）材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計及外延生長技術(shù)。通過研究不同溝道層和勢壘層的生長溫度以及Si δ摻雜條件對InP HEMT溝道二維電子氣遷移率和面濃度的影響，得到最優(yōu)的生長條件。此外，設(shè)計In<...

高濃度鈧摻雜氮化鋁壓電薄膜制備研究

摘要：采用鋁-鈧雙靶反應磁控濺射技術(shù)制備出30%濃度鈧（Sc）摻雜的高質(zhì)量氮化鋁（AlN）壓電薄膜。分析了濺射功率和氣體流量對應力的影響，實現(xiàn)在-250～200 MPa范圍內(nèi)應力可調(diào)。面內(nèi)應力分布均勻，平均應力為6.49 MPa時，面內(nèi)應力變化值和標準偏差分別為61.72 MPa和13.46 MPa。結(jié)合離子束刻蝕技術(shù)，膜厚均勻性可由0.77%減小至0.09%，膜厚標準偏差為0.4 nm。研究高溫退火對...

硅晶體輔助進電氧化鎵晶圓浸液放電切割技術(shù)研究

摘要：提出了一種硅晶體輔助進電的氧化鎵晶圓浸液放電切割方法，以解決金剛石線鋸切割導致的破碎、開裂及加工精度不足問題。搭建了浸液放電切割試驗系統(tǒng)，針對傳統(tǒng)伺服控制失效導致的切割軌跡閉合問題，通過放電特性分析，開發(fā)了基于放電概率檢測的閉環(huán)伺服控制系統(tǒng)，實現(xiàn)了氧化鎵晶圓的精密加工控制。創(chuàng)新性地提出了硅晶體輔助電極切割方法，解決了機械裝夾易引發(fā)的晶片碎裂問題，并通過對比碳纖維板等材料的放電特性，證實硅晶體輔助電...

壓力傳感器用金屬外殼封接孔結(jié)構(gòu)優(yōu)化及耐壓能力提升的研究

摘要：為解決絕緣體上硅（Silicon-on-insulator, SOI）壓阻式壓力傳感器加壓過程密封失效的問題，提升壓阻式壓力傳感器量程范圍，進行了提升壓力傳感器耐壓能力的相關(guān)研究。本文僅從金屬外殼封接孔結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計出發(fā)，開展小孔徑直通封接孔、2種臺階狀封接孔的金屬與玻璃界面剪切應力計算、應力仿真、壓力測試，發(fā)現(xiàn)臺階狀封接孔結(jié)構(gòu)對提高壓力傳感器密封腔內(nèi)耐壓能力的效果最佳

基于CNNs技術(shù)的MCM互連可靠性研究

摘要：鑒于有限元分析（Finite element analysis, FEA）耗時和耗資源的缺點和日益復雜的電路規(guī)模，為了加速電路的互連可靠性分析，以多芯片模塊（Multi-chip module, MCM）為例，結(jié)合FEA和卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（Convolutional neural network, CNN）技術(shù)對其互連可靠性進行研究。通過訓練FEA所得預測數(shù)據(jù)，CNN技術(shù)可以快速構(gòu)建該模型的輸入輸出非...

頂層厚金屬鈍化層損傷之制程優(yōu)化方法研究

摘要：針對COMS晶圓目檢中發(fā)現(xiàn)的頂層厚金屬鈍化層損傷問題，通過SEM進行失效分析，給出頂層厚金屬表面損傷形成機理，定位為稀疏頂層厚金屬鈍化層頂部光刻膠厚度不夠，導致刻蝕工藝過程中在鈍化層表面造成損傷。通過設(shè)計版圖測試結(jié)構(gòu)，確定了避免稀疏頂層厚金屬造成損傷的最小寬度；通過鈍化層工藝優(yōu)化，在鈍化層沉積薄膜后，增加化學機械拋光工藝，降低鈍化層光刻工藝時的臺階差，提高了稀疏頂層厚金屬鈍化層頂部光刻膠附著能力，...

一種抗噪聲、高精度及瞬態(tài)增強的LDO電路設(shè)計

摘要：為了給現(xiàn)場可編程門陣列（Field programmable gate array, FPGA）等高性能芯片提供精確、穩(wěn)定且快速負載電流變化的電壓源，提出了一種抗噪聲、高精度及瞬態(tài)增強的低壓差線性穩(wěn)壓器（Low-dropout regulators,LDO）電路。通過設(shè)計基于測試結(jié)果的修調(diào)電路和精確低通濾波器，為該LDO提供了高精度且抗噪聲的基準電壓。通過設(shè)計瞬態(tài)檢測與增強電路可以快速地對負載電流...

NiB化鍍體系下HTCC外殼防止鍍層剝落的工藝研究

摘要：針對化學鍍NiB的外殼在壓焊金絲電鍍金后，挑絲易出現(xiàn)鍍層剝落，露出金屬化W層的問題，本文對發(fā)生挑絲后鍍層剝落的失效外殼進行分析，基于鍍層成分、結(jié)構(gòu)、組織形貌等探究鍍層剝落的機理。分析發(fā)現(xiàn)鍍層剝落與NiB鍍層的厚度以及釬焊后焊料刻蝕的時間相關(guān)，當NiB鍍層厚度不足時，刻蝕溶液會侵蝕鍍層底部的金屬化W層，導致金屬化W層缺失及金屬化W層與NiB鍍層的結(jié)合力下降。在NiB化學鍍層厚度1.5～2.0μm、刻...

基于少數(shù)載流子壽命控制技術(shù)的增強型β-Ga₂O₃VDMOS器件的單粒子燒毀效應研究

摘要：探究了具有電流阻擋層（Current blocking layer,CBL）的增強型β-Ga₂O₃ VDMOS器件的單粒子燒毀（Single-event burnout,SEB）機制及其抗輻射加固方法。通過TCAD仿真分析，揭示了SEB關(guān)鍵物理機制：重離子轟擊導致溝道?源極連接區(qū)域產(chǎn)生空穴累積，并通過碰撞電離過程不斷生成額外空穴，最終引發(fā)局部熱失效和器件...

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