【雜志簡(jiǎn)介】

　　《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》是南京電子器件研究所主辦的全國(guó)性學(xué)術(shù)期刊(雙月刊)，向國(guó)內(nèi)外公開發(fā)行。辦刊宗旨是面向21世紀(jì)固體物理和微電子學(xué)領(lǐng)域的創(chuàng)新性學(xué)術(shù)研究。刊登的內(nèi)容為：無機(jī)和有機(jī)固體物理、硅微電子、射頻器件和微波集成電路、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、納米技術(shù)、固體光電和電光轉(zhuǎn)換、有機(jī)發(fā)光器件(OLED)和有機(jī)微電子技術(shù)、高溫微電子以及各種固體電子器件等方面的創(chuàng)新性科學(xué)技術(shù)報(bào)告和學(xué)術(shù)論文，論文和研究報(bào)告反映國(guó)家固體電子學(xué)方面的科技水平。

　　在科技期刊評(píng)審中，《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》多次獲得部屬電子優(yōu)秀期刊獎(jiǎng)，獲江蘇省第一屆、第二屆、第三屆、第四屆優(yōu)秀期刊獎(jiǎng)和第二屆華東地區(qū)優(yōu)秀期刊獎(jiǎng)。

　　1992年、1996年、2000年、2004年和2008年五度被《中文核心期刊要目總覽》列為相關(guān)專業(yè)的中文核心期刊，被中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心列為科技核心期刊。

　　本刊已列為國(guó)家科技部中國(guó)科技論文統(tǒng)計(jì)源期刊，被認(rèn)定為《中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)》來源期刊、《中國(guó)學(xué)術(shù)期刊綜合評(píng)介數(shù)據(jù)庫(kù)》全文收錄期刊，已載入《電子科技文獻(xiàn)數(shù)據(jù)庫(kù)》和《中國(guó)工程技術(shù)電子信息網(wǎng)》，已被《中國(guó)學(xué)術(shù)期刊(光盤)》和《中國(guó)期刊網(wǎng)》全文收錄，已進(jìn)入萬方數(shù)據(jù)資源系統(tǒng)ChianInfo數(shù)字化期刊群。

　　【收錄情況】

　　國(guó)家新聞出版總署收錄

　　信息產(chǎn)業(yè)部2001-2002年優(yōu)秀期刊

　　中國(guó)期刊方陣“雙效”期刊

　　江蘇省第六屆優(yōu)秀期刊

　　國(guó)外數(shù)據(jù)庫(kù)收錄：美國(guó)化學(xué)文摘

　　【欄目設(shè)置】

　　設(shè)有“學(xué)術(shù)論文”、“研究報(bào)告”、“研究簡(jiǎn)訊”、“會(huì)議報(bào)道”等欄目。

　　雜志優(yōu)秀目錄參考：

　　1 氧等離子體處理對(duì)薄勢(shì)壘增強(qiáng)型AlGaN/GaN HEMT的影響 王哲力;周建軍;孔月嬋;孔岑;董遜;楊洋;陳堂勝; 307-310+345

　　2 短溝道三材料柱狀圍柵MOSFET的解析模型 趙青云;于寶旗;蘇麗娜;顧曉峰; 311-316+365

　　3 柱形量子點(diǎn)中量子比特的消相干時(shí)間 姜福仕;李巖; 317-320

　　4 S波段280W GaN內(nèi)匹配功率管的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) 姚實(shí);唐世軍;任春江;錢峰; 321-324+391

　　5 L波段高增益功放模塊設(shè)計(jì) 楊斌;林川;高群; 325-328

　　6 應(yīng)用于IEEE 802.11 ac的高線性InGaP/GaAs HBT功率放大器 鄭耀華;鄭瑞青;林俊明;陳思弟;章國(guó)豪; 329-333

　　7 基于HBT工藝的北斗手持終端功率放大器設(shè)計(jì) 陳思弟;鄭耀華;章國(guó)豪; 334-339

　　8 5.8～6.2GHz高效率InGaP/GaAs HBT J類功率放大器 鄭瑞青;鄭耀華;章國(guó)豪; 340-345

　　9 WIFI用砷化鎵多功能收發(fā)芯片設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) 李娜;葉建軍;楊磊; 346-351

　　10 一種高集成射頻接收前端 黃貞松;宋艷;許慶;楊磊; 352-356

　　11 X波段8路波導(dǎo)功分器/合成器 周巧儀;崔富義;馬福軍; 357-359+397

　　12 基于階梯阻抗諧振器的雙頻微帶帶通濾波器設(shè)計(jì) 李紫怡;楊維明;朱星宇;彭菊紅;張偉; 360-365

　　13 圖形化襯底對(duì)GaN基LED電流與發(fā)光特性的影響 李麗莎;閆大為;管婕;楊國(guó)鋒;王福學(xué);肖少慶;顧曉峰; 366-370

　　14 高壓LDMOS擊穿電壓退化機(jī)理研究 金鋒;徐向明;寧開明;錢文生;王惠惠;鄧彤;王鵬飛;張衛(wèi); 371-376

　　15 紅外讀出電路中低功耗列讀出級(jí)電路的設(shè)計(jì) 沈玲羽;龐屹林;范陽(yáng);夏曉娟;吉新村;郭宇鋒; 377-382

　　16 TVS二極管標(biāo)稱參數(shù)與靜電放電防護(hù)能力研究 郭瑤;徐曉英;葉宇輝;高兵生; 383-387

　　17 高平整度GaN HEMT歐姆接觸工藝 陳韜;蔣浩;陳堂勝; 388-391

　　18 蓋板結(jié)構(gòu)對(duì)外殼密封可靠性影響的有限元分析 郭懷新;程凱;胡進(jìn);王子良; 392-397

　　安全論文發(fā)表：對(duì)計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的維護(hù)及管理的分析

　　【摘要】 隨著信息技術(shù)的發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用已經(jīng)普及到各個(gè)階層和各個(gè)行業(yè)，這給人們的工作和日常生活帶來了極大的便利，但是同時(shí)由于網(wǎng)絡(luò)安全問題的存在也給人們帶來了很多的困擾，這些安全問題主要表現(xiàn)在病毒、木馬以及漏洞攻擊上。本文通過對(duì)計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)中存在的問題進(jìn)行分析，旨在為網(wǎng)絡(luò)的安全和便利提供一些技術(shù)上的策略。

　　【關(guān)鍵詞】 安全論文發(fā)表,計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò),完全防護(hù),網(wǎng)絡(luò)維護(hù)與管理,策略

　　一、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)中的問題分析

　　1.1 計(jì)算機(jī)病毒和木馬

　　計(jì)算機(jī)病毒和木馬在很多文獻(xiàn)中都分開論述，但是由于其原理基本相同，所以筆者在本文的論述中將其歸為一類。計(jì)算機(jī)病毒和木馬的傳播過程中有很多類似的地方，但是在破壞性上兩者有較大差別，計(jì)算機(jī)病毒是特指可以對(duì)計(jì)算機(jī)軟硬件造成損害的一類計(jì)算機(jī)程序，而木馬則是用來竊取用戶信息的計(jì)算機(jī)程序。這兩者都是通過網(wǎng)絡(luò)給用戶帶來危害的計(jì)算機(jī)程序，并且現(xiàn)在計(jì)算機(jī)技術(shù)飛速發(fā)展，病毒和木馬的變種也越來越多，只有提高自己的網(wǎng)絡(luò)安全意識(shí)，才能降低受到危害的風(fēng)險(xiǎn) [2]。

　　固體電子學(xué)研究與進(jìn)展最新期刊目錄

《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》專題征稿 主題：半導(dǎo)體芯片先進(jìn)封裝技術(shù)

摘要：<正>隨著摩爾定律逐漸放緩,先進(jìn)封裝作為提升系統(tǒng)性能、集成度與功能多樣性的關(guān)鍵路徑,已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要引擎。由于芯片在高頻、高功率密度或極端環(huán)境的應(yīng)用越來越多,先進(jìn)封裝材料、多物理場(chǎng)建模、工藝制造及測(cè)試方法等研究變得越發(fā)重要。為了集中展示這一領(lǐng)域的最新研究成果與技術(shù)突破,《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》特策劃“半導(dǎo)體芯片先進(jìn)封裝技術(shù)”專題,現(xiàn)面向相關(guān)專家學(xué)者公開征稿。征稿范圍包括但不限...

《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》專題征稿 主題：Si基GaN器件研究與應(yīng)用

摘要：<正>Si基GaN結(jié)合了GaN材料的高性能(高頻、高效、耐高壓)及Si材料的低成本和大規(guī)模制造能力,具有高頻、高功率密度和低成本等優(yōu)勢(shì),有望為5G/6G通信、雷達(dá)、衛(wèi)星及電力電子等領(lǐng)域提供高性能、低成本的解決方案。由于GaN和Si之間的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)差異巨大,Si基GaN在材料生長(zhǎng)、器件可靠性、電學(xué)特性和散熱等方面存在技術(shù)瓶頸,為了集中探討技術(shù)突破以及展示行業(yè)新發(fā)展,《固體電子學(xué)...

《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》專題征稿 主題：超寬禁帶半導(dǎo)體

摘要：<正>超寬禁帶半導(dǎo)體被譽(yù)為“后摩爾時(shí)代”的顛覆性技術(shù),以氧化鎵（Ga₂O₃）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性,為半導(dǎo)體器件性能提升、降低功耗、抗輻射等方面提供了新的可能,目前初現(xiàn)蓬勃發(fā)展態(tài)勢(shì),可在能源與交通、通信與計(jì)算、航天電子、新型光電等領(lǐng)域大有可為。然而,超寬禁帶半導(dǎo)體仍面...

“功率SiC器件研究與應(yīng)用”專題前言

摘要：<正>隨著信息技術(shù)與人工智能的深度演進(jìn),社會(huì)對(duì)電力的需求呈持續(xù)攀升態(tài)勢(shì),高效電力電子器件成為關(guān)鍵支撐。碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體核心材料,憑借寬禁帶、高導(dǎo)熱率、高電子飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)異特性,在高頻、大功率、耐高溫、抗輻照及紫外探測(cè)等領(lǐng)域具備不可替代的應(yīng)用價(jià)值,相關(guān)研究對(duì)推動(dòng)電力電子技術(shù)升級(jí)意義重大

2026年微波、太赫茲、電磁兼容技術(shù)學(xué)術(shù)會(huì)議(MMW-THZ-EMC 2026)第一輪征文通知

摘要：<正>隨2026年微波、太赫茲、電磁兼容技術(shù)學(xué)術(shù)會(huì)議(MMW-THZ-EMC 2026)將于2026年7月26日—30日在遼寧省大連市召開。本次會(huì)議由中國(guó)電子學(xué)會(huì)微波分會(huì)主辦,多家高校與科研單位聯(lián)合承辦,旨在為微波、太赫茲及電磁兼容領(lǐng)域的專家學(xué)者、科研人員及工程技術(shù)人員搭建高水平的學(xué)術(shù)交流平臺(tái)。誠(chéng)摯歡迎相關(guān)領(lǐng)域從事研究、開發(fā)、生產(chǎn)與應(yīng)用的專家和工程技術(shù)人員踴躍投稿并參會(huì),同時(shí)歡迎相關(guān)單...

1μm薄膜鈮酸鋰電光相位調(diào)制器研究

摘要：<正>南京電子器件研究所依托所內(nèi)薄膜鈮酸鋰(LNOI)芯片工藝和光電混合封裝平臺(tái),成功研制出1μm波段LNOI電光相位調(diào)制器,器件具備超低插入損耗、高光功率閾值、小尺寸等特點(diǎn)。通過LNOI光波導(dǎo)設(shè)計(jì)及工藝優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了1μm波段光波導(dǎo)傳輸損耗≤0.1 dB/cm,抗光損傷閾值提升至100 mW。圖1 (a)所示為電光相位調(diào)制器芯片晶圓;通過低損耗光耦合技術(shù),實(shí)現(xiàn)了纖-纖插損≤2.5 dB...

具有內(nèi)增益特性的4H-SiC基PN^-PN垂直結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體輻射探測(cè)器仿真研究

摘要：基于4H型碳化硅（4H-silicon carbide,4H-SiC）的NPN結(jié)構(gòu)雙極型輻射探測(cè)器已被證實(shí)可實(shí)現(xiàn)10倍的內(nèi)增益功能，然而受限于SiC材料載流子遷移率壽命積，該類型探測(cè)器在獲取更高增益方面存在一定困難。本文在NPN結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上提出一種優(yōu)化PN^-PN輻射探測(cè)器結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)器件可看作NPN、PNP結(jié)構(gòu)器件級(jí)聯(lián)，可進(jìn)一步提升探測(cè)器增益特性。計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（Technol...

4H-SiC JFET器件的高溫靜態(tài)電學(xué)特性研究

摘要：探究了碳化硅（Silicon carbide, SiC）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction field-effect transistor, JFET）在高溫環(huán)境下的靜態(tài)特性變化規(guī)律。測(cè)試了SiC JFET器件在25、75、125、175℃溫度下的輸出特性、轉(zhuǎn)移特性、夾斷電壓、第三象限導(dǎo)通特性以及反偏擊穿特性，并基于載流子輸運(yùn)理論，解釋了以上電學(xué)特性在高溫條件下的退化機(jī)理。更進(jìn)一步地，基于現(xiàn)有4H...

影響SiC MOSFET電離總劑量效應(yīng)的關(guān)鍵因素研究

摘要：SiC MOSFET由于柵氧化層較厚，在空間輻射環(huán)境中對(duì)電離總劑量效應(yīng)敏感。測(cè)量輻照前后器件的閾值電壓(V_TH)變化是評(píng)估其抗總劑量特性的重要手段。本文通過開展不同閾值電壓測(cè)試方法的比較，分析認(rèn)為由下掃I-V曲線提取器件閾值電壓更為準(zhǔn)確。基于該閾值電壓提取方法，對(duì)比分析了輻照偏置、輻照溫度、輻照劑量率對(duì)器件總劑量特性的影響規(guī)律。分析認(rèn)為柵極偏置可加劇電子-空穴對(duì)的分離并減弱其...

SiC MOSFET單粒子?xùn)糯�機(jī)理分析與加固設(shè)計(jì)研究

摘要：?jiǎn)瘟Ｗ訓(xùn)糯�（Single-event gate rupture, SEGR）是制約SiC功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-ox-ide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET）宇航應(yīng)用的關(guān)鍵可靠性問題。基于TCAD仿真研究了平面柵SiC MOSFET的SEGR效應(yīng)及其加固方法。通過分析JFET區(qū)寬度與摻雜對(duì)電場(chǎng)和導(dǎo)通電阻的影響，揭示了...

硼摻雜單晶金剛石MOSFET器件仿真與電學(xué)性能研究

摘要：利用數(shù)值仿真與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證相結(jié)合的方法，系統(tǒng)研究了硼摻雜單晶金剛石環(huán)柵結(jié)構(gòu)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET）的物理特性、結(jié)構(gòu)優(yōu)化及實(shí)驗(yàn)制備工藝。借助Silvaco TCAD軟件Atlas模塊建立器件模型，采用Lombardi CVT、Shockley-Read-Hall、Analytic及碰...

氧退火后Si（111）襯底上β-Ga₂O₃薄膜紫外光電探測(cè)器的性能增強(qiáng)

摘要：本研究采用金屬有機(jī)氣相沉積（Metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD）技術(shù)，在（111）取向的單晶Si襯底上成功生長(zhǎng)了Ga₂O₃薄膜。通過X射線衍射（X-ray diffraction, XRD）、原子力顯微鏡（Atomic force microscopy, AFM）和掃描電子顯微鏡（Scanning...

SC波段高增益超寬帶功率放大器設(shè)計(jì)

摘要：基于南京電子器件研究所0.35μm GaN HEMT工藝，研制了一款SC波段高增益超寬帶大功率放大器。該功率放大器為兩級(jí)結(jié)構(gòu)，首先通過負(fù)載牽引及小信號(hào)模型提取了前級(jí)和末級(jí)管芯的輸入輸出阻抗，然后采用GaAs襯底的LC前級(jí)匹配網(wǎng)絡(luò)，結(jié)合Lange電橋搭建了平衡式放大器前級(jí)，采用多節(jié)阻抗變換器實(shí)現(xiàn)了末級(jí)超寬帶功率分配/合成匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)，最終裝配功率放大器實(shí)物。測(cè)試結(jié)果表明，該功率放大器在漏極電壓28 ...

Bowling-SGT的器件結(jié)構(gòu)及性能研究

摘要：為解決屏蔽柵溝槽型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Shielded gate trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, SGT-MOSFET）功率導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的相互制約關(guān)系，設(shè)計(jì)兼具高擊穿電壓與低導(dǎo)通電阻的器件。首先使用Sentaurus TCAD仿真軟件構(gòu)建80 V上下結(jié)構(gòu)的SGT基礎(chǔ)模型，并探討了SGT-MOS-...

征稿啟事

摘要：<正>《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》是全國(guó)性學(xué)術(shù)期刊，向國(guó)內(nèi)外公開發(fā)行。辦刊宗旨是面向21世紀(jì)固體物理和微電子學(xué)領(lǐng)域的創(chuàng)新性研究。征稿主要范圍是：無機(jī)和有機(jī)固體物理，硅微電子學(xué)，射頻器件和微波集成電路，微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS），納米技術(shù)，固體光電和電光轉(zhuǎn)換器件，有機(jī)發(fā)光器件（OLED）和有機(jī)微電子技術(shù)，寬禁帶半導(dǎo)體以及各種固體電子器件等方面的創(chuàng)新性科學(xué)技術(shù)報(bào)告和論文。建議作者在投稿的同時(shí)介紹一...

SiC光觸發(fā)晶閘管與UV LED合封特性研究

摘要：通過合封的方式將碳化硅（SiC）光觸發(fā)晶閘管與紫外（Ultraviolet, UV）發(fā)光二極管（Light-emitting diode,LED）進(jìn)行集成，試制了SiC光觸發(fā)晶閘管與UV LED的合封模塊樣件，并對(duì)其特性進(jìn)行了測(cè)試與分析。結(jié)果顯示，合封樣件的陽(yáng)極阻斷電壓大于8 500 V，陽(yáng)極正向開啟電壓為2.8 V，柵極正向開啟電壓為3 V。在正向電流為20 A時(shí)，合封樣件的陽(yáng)極通態(tài)壓降僅3.6...

K波段衛(wèi)星通信的多路徑噪聲抵消低噪聲放大器

摘要：為滿足低噪聲的衛(wèi)星通信應(yīng)用需求，設(shè)計(jì)了一款基于集成變壓器的改進(jìn)型多路徑噪聲抵消（Improved multi-path noise-canceling, IMNC）低噪聲放大器（Low noise amplifier, LNA），實(shí)現(xiàn)對(duì)雙路徑噪聲抵消技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，顯著降低噪聲系數(shù)。該款LNA采用雙八字型三線圈變壓器提升增益，同時(shí)引入共柵晶體管噪聲抵消路徑，優(yōu)化噪聲抵消效果。在電路設(shè)計(jì)過程中，采...

一種溝槽底部周期性接地的2400 V 4H-SiC溝槽MOSFET器件設(shè)計(jì)與制備

摘要：為滿足光伏發(fā)電和軌道交通及工業(yè)驅(qū)動(dòng)等中高壓應(yīng)用對(duì)高效、高功率密度功率器件的需求，針對(duì)2 400 V4H-SiC溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET）器件展開研究，設(shè)計(jì)并制備了一種溝槽底部周期性接地的新型2 400 V 4H-SiC溝槽MOSFET。通過優(yōu)化后采用厚度20μm、摻雜濃度4....

基于自適應(yīng)浮空柵控制的雙向?qū)�通溝槽型SiC MOSFET

摘要：針對(duì)碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, SiC MOSFET）在第三象限導(dǎo)通下的體二極管高損耗和雙極退化問題，提出了一種基于自適應(yīng)浮空柵控制的雙向?qū)�通溝槽型SiC MOSFET(Self-adjusted floating-gate controlled bidir...

適用于SiC射頻功率放大器的柵壓可調(diào)漏極電源調(diào)制驅(qū)動(dòng)電路

摘要：碳化硅金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Silicon carbide metal-semiconductor field-effect transistor, SiC MESFET）具有高功率、高漏壓和高效率等優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于射頻功率放大器。電源調(diào)制電路對(duì)于射頻功率放大器中SiC MESFET功率器件的效率與可靠性的提升起著重要作用。為了提高射頻功率放大器的響應(yīng)速度，減小電源調(diào)制脈沖信號(hào)的傳輸延時(shí)，同時(shí)...

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