【雜志簡介】

　　《電子與封裝》雜志是目前國內(nèi)唯一一本全面報道封裝與測試技術(shù)、半導(dǎo)體器件和IC設(shè)計與制造技術(shù)、產(chǎn)品與應(yīng)用以及前沿技術(shù)、市場信息等的技術(shù)性刊物,是中國電子學(xué)會生產(chǎn)技術(shù)學(xué)分會(電子封裝專業(yè))會刊、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會封裝分會會刊。

　　【收錄情況】

　　國家新聞出版總署收錄

　　ASPT來源刊

　　中國期刊網(wǎng)來源刊

　　【欄目設(shè)置】

　　主要欄目：政策與策略、專家論壇、綜述、封裝與組裝、電路設(shè)計與測試、器件與制造、支撐技術(shù)、產(chǎn)品、應(yīng)用與市場。

　　雜志優(yōu)秀目錄參考：

　　有關(guān)QFN72和CQFN72的熱阻計算 賈松良，蔡堅，王謙，丁榮崢，JIA Songliang，CAI Jian，WANG Qian，DING Rongzheng

　　氮化鋁-鋁復(fù)合封裝基板的制備 李明鶴，彭雷，王文峰，LI Minghe，PENG Lei，WANG Wenfeng

　　CBGA植球工藝成熟度提升方法的研究 黃穎卓，練濱浩，林鵬榮，田玲娟，HUANG Yingzhuo，LIAN Binhao，LIN Pengrong，TIAN Lingjuan

　　基于JC-5600 ATE的單/雙電源運算放大器測試方法 趙樺，章慧彬，ZHAO Hua，ZHANG Huibin

　　一種適于FPGA芯片的SRAM單元及外圍電路設(shè)計 徐新宇，徐玉婷，林斗勛，XU Xinyu，XU Yuting，LIN Douxun

　　一種新型基準(zhǔn)電流源電路設(shè)計 黃召軍，朱琪，施斌友，陳鐘鵬，萬書芹，張濤，HUANG Zhaojun，ZHU Qi，SHI Binyou，CHEN Zhongpeng，WAN Shuqin，ZHANG Tao

　　一種低抖動電荷泵鎖相環(huán)頻率合成器 楊霄壘，施斌友，黃召軍，季惠才，YANG Xiaolei，SHI Binyou，HUANG Zhaojun，JI Huicai

　　基于虛擬化技術(shù)的FPGA開發(fā)平臺設(shè)計 張海平，萬清，ZHANG Haiping，WAN Qin

　　鋁線鍵合的等離子清洗工藝研究 鐘小剛，ZHONG Xiaogang

　　CMOS工藝中抗閂鎖技術(shù)的研究 朱琪，華夢琪，ZHU Qi，HUA Mengqi

　　外延參數(shù)穩(wěn)定性控制方法 王海紅，高翔，WANG Haihong，GAO Xiang

　　電路級熱載流子效應(yīng)仿真研究 高國平，曹燕杰，周曉彬，陳菊，GAO Guoping，CAO Yanjie，ZHOU Xiaobin，CHEN Ju

　　高密度SIP設(shè)計可靠性研究 王良江，楊芳，陳子逢，WANG Liangjiang，YANG Fang，CHEN Zifeng

　　管理科學(xué)投稿：不銹鋼金相檢驗過程中的電解制樣的應(yīng)用分析

　　摘 要：在實際的金相檢驗工作中，通常會采取電解法，將電流通入電解質(zhì)中，通過發(fā)生反應(yīng)對金屬的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有更好的認(rèn)識，與機(jī)械制樣方法相比，該方法首先可以避免拋光時產(chǎn)生的雜質(zhì)，其次速度快，消耗時間少，而且能夠節(jié)約材料，工作效率大大提高，能取得更好的制樣效果，應(yīng)用越來越廣泛。本文對其在金相檢驗中的應(yīng)用進(jìn)行了簡要分析。

　　關(guān)鍵詞：管理科學(xué),不銹鋼金相檢驗,電解制樣,應(yīng)用分析

　　引言

　　金相指的是金屬內(nèi)部結(jié)構(gòu)的物理或化學(xué)狀態(tài)，反映金相的具體形態(tài)叫做金相組織，主要包括馬氏體、鐵素體、奧氏體等。在制備金相試樣時，主要采取的方法有手工法、機(jī)械法以及電解法等。人工法現(xiàn)在已很少用，機(jī)械法因為需要進(jìn)行拋光，往往會在磨光面上出現(xiàn)一些雜質(zhì)，而且需要多次拋光，浪費大量時間。電解法是當(dāng)前較為常見的一種制樣方法，在有色金屬及耐熱不銹鋼等制樣中較為適用，在較短的時間內(nèi)就能完成制樣工作，減輕了勞動量，提高了工作效率，值得推廣應(yīng)用。

　　電子與封裝最新期刊目錄

帶預(yù)制焊環(huán)蓋板的低成本設(shè)計與制備

摘要：采用帶預(yù)制焊環(huán)蓋板進(jìn)行電子元器件密封，是高可靠密封工藝常用的方法之一。在帶預(yù)制Au80Sn20焊環(huán)蓋板的成本構(gòu)成中，金材料占據(jù)核心部分。本文從蓋板鍍層結(jié)構(gòu)優(yōu)化、焊料量的最小化、賤金屬焊環(huán)應(yīng)用，結(jié)合生產(chǎn)效率提升、成品率保障與材料利用率改進(jìn)等方面論述，探索在提升密封質(zhì)量與可靠性的同時實現(xiàn)成本降低的有效路徑，為氣密性封裝器件的成本控制提供了可借鑒的解決方案

某PCBA載板的翹曲變形研究與優(yōu)化

摘要：針對小型陶瓷基板PCBA在貼片工藝中因載板翹曲變形導(dǎo)致的焊接不良問題，本文采用理論分析與熱-結(jié)構(gòu)耦合的有限元仿真及試驗驗證相結(jié)合的方法，系統(tǒng)研究了工藝過程中載板的三維溫度場演化規(guī)律及其與結(jié)構(gòu)變形的映射關(guān)系。仿真發(fā)現(xiàn)，載板直接接觸加熱臺時，因非均勻熱環(huán)境導(dǎo)致熱應(yīng)力，引發(fā)翹曲變形，降低被載器件良率。為解決該問題，緩沖瞬時熱效應(yīng)，提出在載板與加熱臺間增設(shè)隔熱墊的優(yōu)化方案。結(jié)果表明，該方案可有效降低溫差與...

基于RISC-V的抗單粒子加固研究

摘要：在現(xiàn)代電子器件和集成電路設(shè)計中，單粒子效應(yīng)已成為一個不可忽視的問題�；�于RISC-V精簡指令集，利用三模冗余和檢錯糾錯技術(shù)，進(jìn)行了多層次的抗輻射加固。對加固后的電路流片，并開展輻射試驗。試驗結(jié)果顯示該電路在地球靜止軌道（GEO）單粒子翻轉(zhuǎn)率小于10^-4 error/（device·day），單粒子閂鎖閾值大于75 MeV·cm²/mg，驗證了抗單粒子翻轉(zhuǎn)...

無人機(jī)控制程序的無線更新方案的實現(xiàn)

摘要：為使終端無人機(jī)控制程序易于更新，依據(jù)固有架構(gòu)，提出一種無人機(jī)控制程序的無線更新方案，并描述了系統(tǒng)方案原理、規(guī)劃、設(shè)計及實現(xiàn)。利用主控微程序控制器單元（MCU）與控制機(jī)、各分控數(shù)字信號處理器（DSP）、現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）之間均具有直接或間接通信連接的特性，在DSP側(cè)，利用串行外設(shè)接口啟動A模式（SPI-A boot），提出并設(shè)計再次更新控制程序的方案，使主控MCU模擬DSP外部閃存（FLA...

載流子存儲溝槽柵雙極晶體管特性研究與優(yōu)化設(shè)計

摘要：為了優(yōu)化載流子存儲溝槽柵雙極晶體管（CSTBT）的性能，對CSTBT結(jié)構(gòu)進(jìn)行了電學(xué)特性仿真，首先通過Sentaurus TCAD軟件對比了T-IGBT和CSTBT的擊穿特性、輸出特性以及關(guān)斷特性，最后研究了CSTBT N-drift區(qū)摻雜和厚度、P-base區(qū)摻雜和CSL摻雜對器件的擊穿特性、轉(zhuǎn)移特性以及輸出特性的影響。結(jié)果表明，相較于T-IGBT，優(yōu)化前的CSTBT的擊穿電壓提升了3.4%，正向...

某型探測器隨機(jī)振動失效與可靠性分析

摘要：針對某型探測器懸空安裝在電路板上進(jìn)行隨機(jī)振動試驗時發(fā)生引腳斷裂現(xiàn)象，進(jìn)行了微觀結(jié)構(gòu)分析以及基于Ansys Workbench有限元仿真的結(jié)果優(yōu)化分析。斷口的金相和掃描電鏡（SEM）形貌分析結(jié)果表明引腳的斷裂機(jī)理為疲勞斷裂。利用有限元軟件Ansys Workbench對該探測器進(jìn)行模態(tài)分析和掃頻分析，獲取了結(jié)構(gòu)的頻率響應(yīng)特性。通過隨機(jī)振動分析計算得到引腳最大3σ應(yīng)力以及引腳根部應(yīng)力響應(yīng)功率譜密度（R...

一種SiP封裝的旋變驅(qū)動解碼器測試研究與實現(xiàn)

摘要：采用系統(tǒng)級封裝（SiP）技術(shù)將旋變解碼器和驅(qū)動器集成封裝，可滿足現(xiàn)代空間飛行器的控制電路體積小型化、功能集成化的需求。為了對該款SiP產(chǎn)品進(jìn)行多流程的批量篩選測試，利用MATLAB生成正余弦波形數(shù)據(jù)，導(dǎo)入J750測試系統(tǒng)實現(xiàn)信號發(fā)生與停止的自由控制。設(shè)計相應(yīng)的外圍電路，將正余弦信號與激勵信號相乘，可模擬旋轉(zhuǎn)變壓器的輸出，該輸出作為旋變解碼器的輸入�；�于J750，根據(jù)相應(yīng)的控制時序使旋變解碼器正常工...

一種單相交流采樣鎖頻算法的設(shè)計

摘要：作為一種高效、魯棒的諧振控制器和正交信號發(fā)生器，二階廣義積分器已廣泛應(yīng)用于電力電子并網(wǎng)控制、有源電力濾波器、鎖頻環(huán)、諧波偵測與分離等領(lǐng)域。通過深入探討二階廣義積分器（SOGI）算法的基本原理，在實際工程應(yīng)用中詳細(xì)推導(dǎo)了其傳遞函數(shù)。分析了正交信號生成與頻率自適應(yīng)跟蹤。最后，結(jié)合實際工程使用搭建了二階廣義積分器鎖頻環(huán)（SOGI-FLL）仿真模型，并通過仿真和實驗驗證了其高精度性能，具有較強(qiáng)的工程實用價...

基于FPGA的QDR-Ⅱ+型同步SRAM測試系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)

摘要：QDR-Ⅱ+型同步SRAM存儲器是一種高可靠性、高速、低功耗的新型靜態(tài)隨機(jī)存儲器，廣泛應(yīng)用于工業(yè)以太網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)、交換機(jī)、服務(wù)器等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中。相比于傳統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）而言，四倍數(shù)據(jù)速率（QDR）的數(shù)據(jù)輸入和輸出總線相互獨立，并且能夠分別在時鐘的上升沿和下降沿對數(shù)據(jù)進(jìn)行操作，使得QDR型同步SRAM能夠擁有更高的數(shù)據(jù)吞吐量。與此同時，因為沒有了復(fù)雜的動態(tài)刷新邏輯，功耗相對于DDR器件也顯著降...

一種流水線架構(gòu)的2D-FFT加速引擎設(shè)計

摘要：針對毫米波雷達(dá)信號處理中距離維和速度維快速進(jìn)行小點數(shù)二維快速傅里葉變換(2D-FFT)的需求，本文設(shè)計了一種流水線架構(gòu)的2D-FFT加速引擎，該引擎采用單路徑延遲反饋流水線結(jié)構(gòu)，并在每級前引入數(shù)據(jù)選通模塊，有效支持可配置的點數(shù)規(guī)模（m×n≤2048）。經(jīng)研究表明：該設(shè)計實現(xiàn)了2D-FFT點數(shù)的靈活配置。其所有2D-FFT運算結(jié)果，絕對誤差小于2.5，相對誤差低于0.5%，精度滿足使用需求；相對于傳...

一種用于FPGA測量時鐘延遲的方法

摘要：時鐘作為現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）電路中關(guān)鍵的一部分，目前對FPGA中時鐘的測試方法存在誤差較大，測試用例搭建困難等問題。根據(jù)現(xiàn)有FPGA架構(gòu)，提出一種新的測試方法，通過將待測試部分時鐘延遲轉(zhuǎn)換成輸出時鐘的占空比，研究結(jié)果顯示，新的測試方法成功屏蔽了外部測試設(shè)備帶來的誤差干擾，降低了測試用例的搭建難度，極大得提高了芯片中時鐘延遲的測試范圍，并為FPGA搭建一個精準(zhǔn)的時序庫提供了有力保障

多頻點SerDes的測試方法研究

摘要：在芯片測試中，SerDes(Serializer/Deserializer)參數(shù)測試是不可缺少的一部分，但是，涉及到多頻點SerDes發(fā)送端和接收端的測試一般要分別進(jìn)行并且測試環(huán)境較為復(fù)雜，不斷更改測試環(huán)境會導(dǎo)致測試流程冗長且可靠性較低。論文基于一款多頻點交換芯片的測試需求，構(gòu)建出一套可以同時進(jìn)行多頻點SerDes發(fā)送端和接收端測試的測試環(huán)境，并且可以在此基礎(chǔ)上進(jìn)行高低溫測試，測試流程中環(huán)境不需要...

三維集成無源電路研究進(jìn)展

摘要：在射頻系統(tǒng)不斷發(fā)展的背景下，射頻電路在移動通信、衛(wèi)星發(fā)射以及工業(yè)自動化等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。然而，隨著技術(shù)的進(jìn)步，設(shè)備對性能的要求越來越高，導(dǎo)致傳統(tǒng)的電路設(shè)計在滿足系統(tǒng)對小型化、低損耗和高集成度的需求上顯得捉襟見肘。因此，垂直互連技術(shù)作為三維集成電路的核心，已被研究人員廣泛應(yīng)用于集成各類射頻電路模塊中。這一技術(shù)不僅有效縮小了移動通信等領(lǐng)域的占用面積，還為其后續(xù)發(fā)展開辟了新的可能性。該綜述主要介紹...

基于SnO₂/Co₃O₄的微波丙酮氣體傳感器

摘要：為解決傳統(tǒng)氣體傳感器需高溫加熱才能實現(xiàn)氣體檢測的問題，設(shè)計了一種基于螺旋結(jié)構(gòu)的微波傳感器，諧振器能在2.8 GHz諧振頻率下產(chǎn)生獨立傳輸零點，實現(xiàn)常溫下對目標(biāo)氣體的檢測。通過靜電紡絲和高溫煅燒工藝制備了Sn O₂/Co₃O₄復(fù)合纖維，并與諧振器組合形成了新型微波氣體傳感器。該傳感器采用N-P復(fù)合異質(zhì)結(jié)，實現(xiàn)了對20×10^-...

“新型傳感器設(shè)計及封裝技術(shù)”專題前言

摘要：<正>在“泛在感知-智能互聯(lián)”的時代背景下，傳感器及其封裝技術(shù)不僅是推動電子信息產(chǎn)業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的重要支撐，更是實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)、智慧醫(yī)療、智能制造、能源環(huán)境監(jiān)測等前沿應(yīng)用的關(guān)鍵基礎(chǔ)。傳感器作為實現(xiàn)信息獲取與智能決策的核心器件，正以前所未有的速度發(fā)展。新型材料與工藝的探索，使得傳感器性能、集成度、可靠性不斷提升，先進(jìn)封裝技術(shù)與集成工藝更是發(fā)揮了重要作用�！峨娮优c封裝》聯(lián)合江南大學(xué)集成電路學(xué)院特別...

用于高溫電子封裝的雙馬來酰亞胺/環(huán)氧/芳香二胺三元樹脂模塑料

摘要：<正>第三代寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體在消費電子、新能源汽車、風(fēng)電和航空航天等領(lǐng)域的大功率器件制造中發(fā)揮著重要作用。與前兩代半導(dǎo)體相比，寬禁帶半導(dǎo)體的工作溫度甚至超過250℃，這對電子封裝材料的耐熱性提出了更高要求。作為目前主流的電子封裝材料，環(huán)氧模塑料（EMC）通常在200℃以下工作，因為其固化樹脂基體的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度T_g不夠高，因此，EMC難以滿足未來WBG半導(dǎo)體...

MoS₂光電探測器的溫度依賴性研究

摘要：Mo S₂具有許多優(yōu)異的光電特性，如優(yōu)異的光吸收能力、較寬的光響應(yīng)范圍、較高的光電轉(zhuǎn)換效率等，被應(yīng)用于各個領(lǐng)域。研究結(jié)果表明，薄層Mo S₂的高溫穩(wěn)定性存在顯著挑戰(zhàn)。當(dāng)溫度超過200℃時，材料內(nèi)部會形成大量硫空位，這些缺陷位點容易吸附環(huán)境中的氧分子，從而導(dǎo)致非預(yù)期摻雜效應(yīng)并引發(fā)電學(xué)性能波動。若溫度進(jìn)一步升高至300℃以上，材料將發(fā)生氧化反應(yīng)，其本征電學(xué)特...

GaN基傳感器研究進(jìn)展

摘要：在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，傳感技術(shù)作為信息獲取的關(guān)鍵，不斷向高靈敏度、微型化和多功能化的方向邁進(jìn)。GaN材料具有高電子遷移率、寬能帶隙、良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)點，在感知力學(xué)信號、識別化學(xué)離子、探測生物分子和檢測氣體等方面表現(xiàn)卓越，為實現(xiàn)高靈敏度、高選擇性和快速響應(yīng)的檢測提供了新的解決方案�？偨Y(jié)了GaN基傳感器在力學(xué)、氣體、化學(xué)、生物領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展，闡述其結(jié)構(gòu)設(shè)計與制備工藝，分析了其在不同應(yīng)用場景中的...

半導(dǎo)體先進(jìn)封裝領(lǐng)域?qū)＠�技術(shù)綜述

摘要：隨著人工智能、高性能計算等產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，先進(jìn)封裝技術(shù)成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵路徑。本文聚焦2.5D與3D封裝技術(shù)，系統(tǒng)梳理以封裝結(jié)構(gòu)、中介層、基板為核心的專利技術(shù)體系，剖析典型專利的創(chuàng)新點、技術(shù)優(yōu)勢及市場應(yīng)用，揭示半導(dǎo)體封測領(lǐng)域的專利布局策略與產(chǎn)業(yè)競爭態(tài)勢，為相關(guān)企業(yè)技術(shù)研發(fā)與專利布局提供參考

ZYNQ系列FPGA片內(nèi)XADC的溫度檢測自適應(yīng)分段補(bǔ)償

摘要：研究現(xiàn)場可編輯門陣列（FPGA）片內(nèi)賽靈思模數(shù)轉(zhuǎn)換器（XADC）的溫度檢測技術(shù)對芯片過熱保護(hù)與預(yù)警系統(tǒng)的可靠性提升具有重要意義。針對傳統(tǒng)FPGA內(nèi)部全溫度段線性轉(zhuǎn)換補(bǔ)償方法在高低溫環(huán)境下檢測誤差大、預(yù)警響應(yīng)滯后等問題，論文中提出一種高低溫范圍內(nèi)自適應(yīng)分段補(bǔ)償優(yōu)化方法。該優(yōu)化方法在-10～30 ℃溫度區(qū)間內(nèi)，采用默認(rèn)線性轉(zhuǎn)換補(bǔ)償；而在低于-10 ℃或高于30 ℃的溫度下，則啟用針對性的非線性補(bǔ)償。整...

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