半導體技術
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半導體技術
關注()- 期刊周期：月刊
- 期刊級別：北大核心
- 國內統一刊號：13-1109/TN
- 國際標準刊號：1003-353X
- 主辦單位：中國半導體行業協會;半導體專業情報網;中國電子科技集團公司第十三所
- 主管單位：信息產業部
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- 上一本期雜志：《激光與紅外》研究生論文
- 下一本期雜志：《半導體光電》雜志編輯部
【雜志簡介】
《半導體技術》以嚴謹風格，權威著述，在業內深孚眾望，享譽中外，對我國半導體事業的發展發揮了積極的作用。"向讀者提供更好資訊，為客戶開拓更大市場，提供技術成果展示、轉化和技術交流的平臺，達到了促進我國半導體技術不斷發展的目的"是《半導體技術》的追求，本刊一如既往地堅持客戶至上，服務第一，竭誠向讀者提供多元化的信息。趨勢與展望：全面闡述半導體技術與應用的發展趨勢;專題報道：每期就設計、生產、應用等企業關注的熱門技術及焦點論題，進行有深度、廣度的全面剖析;器件制造與應用：半導體器件的設計和制造及在各種領域中的應用;工藝技術與材料：介紹最新的半導體技術制作工藝和該領域用的新材料;集成電路設計與開發：各種IC的設計和應用技術、設計工具及發展動向;封裝、測試與設備：介紹器件、芯片、電路的測試、設備和封裝的前沿技術;MEMS技術：現代管理：半導體代工廠、潔凈廠房、半導體用水及氣體、化學品，等管理技術;綜合新聞：及時發布世界各地半導體最新產品及技術信息。《半導體技術》的稿件來源于全國各主要研究機構、大專院校和企事業單位等。
【收錄情況】
國家新聞出版總署收錄
中文核心期刊
中國科技論文統計用刊
國外數據庫收錄：俄羅斯文摘雜志、美國化學文摘、英國物理學、電技術、計算機及控制信息社數據庫
【欄目設置】
欄目主要設有： 1中國半導體發展趨勢論壇(綜述)：誠邀《半導體技術》的專家顧問發表精辟觀點和看法;政府主管部門領導提出政策投資建議。 芯片生產工藝技術：力求突出芯片制造新工藝、前道工序流程主流技術等。 IC封裝及測試：國外先進封裝技術如微間距打線技術;BGA; 疊合式/三維封裝;Quad 封裝等。以及IC測試、系統級測試等。新材料新設備：對半導體支撐材料如納米材料、環氧膜塑料、硅材料、低介電常數材料、化合物等及8-12英寸制造設備、后工序設備、試驗設備等加以闡述。全國集成電路產業介紹：圖文并茂的介紹中國集成電路產業發展較快的地方和基地情況，以利各方參考。企業：(采訪追明星蹤)針對國內外半導體行業的主流企業進行針對性訪問和系統介紹。為供需雙方提供具有參考價值的范本。新品之窗：對半導體設計與材料設備的新產品予以相關介紹和推薦設計與應用 ：嵌入式系統、PLD/FPGA設計;通信、網絡技術、DSP和多媒體應用;電源器件、數字/模擬IC、消費類/工業類電子器件等應用技術業界動態：綜合報道世界半導體行業最新動態會議報道：專門報道行業相關會議，傳達精神，指導工作。
雜志優秀目錄參考：
1 西門子解決方案合作伙伴計劃 637
2 硅基自旋注入研究進展 盧啟海;黃蓉;鄭礴;李俊;韓根亮;閆鵬勛;李成; 641-646+683
3 12 bit 200 MS/s時間交織流水線A/D轉換器的設計 楊陽;張科峰;任志雄;劉覽琦; 647-652+662
4 低頻低功耗無源RFID模擬前端設計與分析 林長龍;孫欣茁;郭振義;李國峰;梁科;王錦; 653-657
5 一種高頻E類功率放大器設計方法 劉超;陳鐘榮; 658-662
6 GaAs場效應晶體管不同極性ESD損傷機理 林麗艷;李用兵; 663-666
7 pH值對低磨料堿性銅拋光液穩定性的影響 秦然;劉玉嶺;王辰偉;閆辰奇;武鵬;王娟; 667-670+710
8 高濃度臭氧超凈水制備及在硅片清洗中的應用 白敏菂; 671-674+691
9 Ar/CO/NH_3等離子體刻蝕多種磁性金屬疊層 劉上賢;汪明剛;夏洋; 675-678+717
10 WS_2量子點邊緣結構和形貌的第一性原理計算 沈濤;梁培;陳欣平;歷強; 679-683
11 TSV封裝通孔形態參數對焊點熱疲勞壽命的影響 張翼;薛齊文;劉旭東; 684-691
12 FeNi合金UBM圓片級封裝焊點剪切力研究 奚嘉;陳妙;肖斐;龍欣江;張黎;賴志明; 692-698
13 點燃產業創新之火,IC China推動FPGA產業發展 698
14 基于可控電流源的太陽電池模型參數測試方法 張淵博;韓培德;卓國文; 699-705
15 用于監測硅片應力的紅外光彈儀 蘭天寶;潘曉旭;蘇飛; 706-710
16 HTCC工藝通用自動上下料系統設計與實現 張超;鄭宏宇;李陽; 711-717
17 第一次征稿通知 第11屆國際專用集成電路會議 718-719
18 2015’全國新型半導體功率器件及應用技術研討會會議通知 720
中國廣播電視學刊投稿：控制理論和控制工程的發展與應用分析
摘 要 隨著科學技術的不斷完善和發展，控制工程與控制理論也得到了不斷的完善，控制理論和控制工程被廣泛應用于各大企業系統生產中。在本篇文章里，筆者在控制工程與控制理論的基礎知識理論上，對控制工程與控制理論的相關歷史發展階段進行研究，并且分析了控制理論和控制工程的應用，以期望能夠為控制系統的發展以及相關研究提供有用的參考依據。
關鍵詞 控制理論和控制工程,發展,應用
控制理論雖然起源于英國18世紀的技術革命時期，但是卻在二十一世紀被廣泛應用。隨著社會經濟的不斷發展，控制理論和控制工程被廣泛的應用于相關工程企業當中。在本篇文章里，筆者不僅分析了控制理論和控制工程的發展，還探索了控制理論和控制工程的應用前景。
半導體技術最新期刊目錄
基于改進YOLOv12n的高效PCB表面缺陷檢測模型
摘要：針對印刷電路板（PCB）表面缺陷檢測中微小目標特征模糊與多尺度缺陷共存的問題，基于YOLOv12n提出一種改進的高效PCB表面缺陷檢測模型CSC-YOLOv12n。為提升模型對多尺度及微小缺陷的表征能力，設計融合多分支結構與結構重參數化技術的CReToNeXt模塊；引入無參數注意力機制SimAM，通過3D權重分配精準聚焦缺陷區域并抑制背景干擾；采用內容感知特征重組（CARAFE）上采樣算子動態生成...
金屬-石英復合噴嘴電噴印柔性基底有機半導體微米線
摘要：針對柔性基底上電流體動力學（EHD）噴射打印易受殘余電荷影響而失穩的問題，提出一種金屬-石英復合噴嘴EHD噴射打印方法，實現聚合物半導體均勻微米線的高分辨率圖案化制備。復合噴嘴通過軸向分段結構降低了殘余電荷積累趨勢。為闡明其作用機制，建立電場-兩相流耦合模型，對噴嘴的射流演化及電荷密度分布進行對比分析。結果表明，復合噴嘴可減弱噴嘴出口及基底鄰近區域的電荷集中程度，提高錐噴射穩定性。在柔性基底上制備...
溶液法生長SiC單晶的研究進展
摘要：SiC是一種重要的寬帶隙半導體，與物理氣相傳輸(PVT)法相比，頂部籽晶溶液生長(TSSG)是一種具有良好前景的高品質SiC單晶生長方法。系統闡述了溶液法生長SiC單晶的研究進展。在熱力學方面，分析了不同助溶劑元素對碳的溶解度、固液界面形貌及生長速率的影響；在缺陷控制方面，討論了寄生反應及夾雜物的形成機制，分析了生長條件等因素對界面穩定性的影響，并研究了坩堝直徑、籽晶及坩堝轉速、熱場結構、磁場等對...
SiC外延片組合式超潔凈清洗工藝
摘要：針對SiC外延片表面超潔凈清洗需求，提出了一種槽式與單片組合式超潔凈清洗工藝。對比了單臺槽式、單臺單片、雙臺槽式、反序雙臺槽式及組合式工藝5種清洗方案，結果表明：傳統單臺槽式工藝存在交叉污染問題，清洗良率僅為84.98%;雙臺槽式工藝雖將良率提高至93.95%,但在污染物深度去除方面仍有局限；組合式工藝充分發揮槽式清洗的廣譜性與單片清洗的精密性優勢，在實現97.08%最高平均清洗良率的同時，將關鍵...
基于HTCC技術的高隔離度CQFN外殼設計
摘要：隨著器件向小型化、高集成度發展，陶瓷四邊無引線扁平(CQFN)外殼端口間的隔離度問題日益凸顯。基于氧化鋁高溫共燒陶瓷(HTCC)技術，設計了一款具有增強屏蔽結構的CQFN36外殼。分析了端口間距、屏蔽結構、腔體諧振3個關鍵因素對隔離度的影響，并通過仿真驗證了模型與理論分析的一致性，開展了實物對比測試。測試結果表明，增大有效端口間距、采用密集地孔可顯著提高隔離度，增加吸波片可抑制封口后的腔體諧振；在...
基于RFO-UPF方法的IGBT剩余使用壽命預測
摘要：為提高絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）剩余使用壽命（RUL）預測精度與在線計算效率，提出一種融合呂佩爾狐優化（RFO）算法與無跡卡爾曼粒子濾波（UPF）的IGBT RUL預測方法RFO-UPF。該方法以IGBT導通壓降VCE（on）作為退化特征量，在貝葉斯遞推框架下構建器件退化狀態空間模型，并基于RFO算法的“偵察-包圍-突襲”自適應尋優機制對UPF的關鍵超參數進行整定。基于美...
高功率密度功率模塊液冷散熱技術的研究進展
摘要：新能源汽車與寬禁帶半導體技術的快速發展推動了功率模塊向高頻、高功率密度演進，由此引發的極高熱流密度與局部熱不均問題成為制約模塊可靠性與壽命的核心瓶頸。為此，剖析了功率模塊多層封裝結構的熱響應機理，并評估了傳統液冷技術在應對界面熱阻與熱場非均勻性的局限性。在此基礎上，重點探討了微通道冷卻技術。基于微尺度換熱機理，系統對比與評述了單相歧管微通道（MMC）與兩相流動沸騰冷卻技術在消除接觸熱阻、降低沿程溫...
基于編程反饋的eFuse IP設計
摘要：針對傳統電可編程熔絲（eFuse）固定時間編程方式易導致欠燒或過燒的問題，提出了一種基于編程反饋的eFuse IP設計方案，通過實時監測熔絲狀態實現編程過程的自適應終止。該設計在0.18 μm CMOS工藝的eFuse IP架構中，引入實時狀態監測與反饋控制電路，通過監測熔絲電學狀態變化，在滿足預設閾值條件時自動關斷編程通路。仿真結果表明，反饋機制可在eFuse熔斷后及時切斷編程電流，避免了傳統開...
QST襯底AlN/GaN超晶格緩沖層循環數對GaN外延層生長的影響
摘要：為優化厚GaN外延的緩沖層結構設計，系統研究了AlN/GaN超晶格緩沖層循環數對Qromis襯底技術（QST）襯底上GaN外延層性能的影響規律與內在機理。采用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）法在6英寸（1英寸=2.54 cm）QST襯底上生長了高晶體質量GaN外延層（12 μm），研究了QST襯底上AlN/GaN超晶格緩沖層循環數（5、12、15）對GaN外延層生長的影響。結果表明，GaN晶體質...
基于改進組合熱敏感電參數的IGBT神經網絡結溫預測模型
摘要：結溫(θj)的精確提取和預測對評估絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的動態性能及剩余壽命具有至關重要的意義。然而，廣泛應用于IGBT結溫預測的典型組合熱敏感電參數（TSEP），諸如導通壓降(VCEon)和集電極電流(Ic)，與θj呈現復雜非線性特征，導致結溫預測模型效果不佳。提出了一種新型動態TSEP，即V 哌嗪衍生物界面修飾提升鈣鈦礦太陽能電池的性能 摘要：針對鈣鈦礦太陽能電池（PSC）的界面缺陷問題，界面修飾是優化器件性能的關鍵手段。為提升PSC的光伏性能與長期穩定性，選取1-苯基哌嗪鹽酸鹽（1-Ben）作為鈍化材料，通過旋涂工藝將其引入鈣鈦礦層頂部以構建界面修飾層，并研究其對n-i-p結構PSC性能的影響。結合原子力顯微鏡、熒光光譜及紫外光電子能譜等表征手段，對界面修飾的作用機制進行了分析。借助1-Ben的界面修飾作用，鈣鈦礦薄膜的表面缺陷得以修... 一種基于I/O復用技術電壓校準的溫度傳感器 摘要：針對高精度溫度傳感器傳統熱校準技術依賴溫箱、效率低的問題，設計了一款基于I/O引腳復用技術實現電壓校準的溫度傳感器。該溫度傳感器采用I/O復用技術，在不引入額外測試引腳的情況下向片外電壓表輸出2個三極管的基極-發射極電壓差ΔVBE，通過ΔVBE與溫度的相關性，無需參考鉑電阻測溫，間接獲得校準點的參考溫度TREF。根據此參考溫度對芯片... 基于電壓比較器的ILV測試與故障檢測方法 摘要：單片三維集成電路（M3D-IC）中的層間通孔（ILV）因工藝不成熟及層間介電層（ILD）減薄，層間極易發生故障。為有效檢測出ILV故障，針對ILV布局的二維分布特性，提出一種基于分壓檢測的分組檢測方法。該方法將ILV構建為邏輯行列形式，通過電壓比較器對行列分組并行測試，以提高檢測效率；此外，通過設置控制信號實現ILV電阻性開路、泄漏故障和橋接故障檢測定位。Hspice仿真結果表明，在45 nm工藝... 基于LIDE的TGV-RDL復合結構一步成型工藝 摘要：針對玻璃轉接板中玻璃通孔（TGV）與再布線層（RDL）分步加工工藝復雜、界面冗余度高、制備成本高的問題，提出了一種基于激光誘導深度刻蝕（LIDE）的TGV-RDL復合結構一步成型制備工藝。該工藝通過激光編程改性結合濕法腐蝕，同步形成深孔、淺槽及其3D互連結構；隨后經優化脈沖電鍍實現銅的無缺陷超填充，從而摒棄了傳統多步工藝中反復迭代的光刻、電鍍與平坦化循環。以500 μm厚度的玻璃為基板，成功制備出... 彈性壓接型IGBT瞬態熱阻抗曲線分離機理 摘要：研究了功率循環試驗前后器件瞬態熱阻抗(Zth)曲線分離且存在明顯分離點現象的產生機理。搭建了功率循環試驗平臺，分析試驗前后Zth曲線的累計結構函數，并采用掃描超聲波顯微鏡（SAM）觀察器件內部焊層的微觀結構。結果表明，所有試樣的Zth曲線均在0.005?～0.01 s內形成穩定的分離點，這主要源于焊層在熱循環作用下的退化，使得功率循... 基于代理模型的毛細底部填充工藝參數多目標優化 摘要：為實現非接觸式點膠毛細底部填充工藝的高效、精準控制，提出一種基于多目標優化算法的參數選取方法。基于計算流體力學（CFD）仿真建立包含點膠噴射過程與芯片周邊區域的三維流動模型；通過最優拉丁超立方采樣（OLHS）構建樣本集，并利用Kriging代理模型構建輸入參數與性能響應之間的非線性映射關系；應用非支配排序遺傳算法II（NSGA-II）對填充時間、填充率與溢膠距離進行同步優化，獲得Pareto前沿解... 面向高密度封裝的基板邊緣互連結構及其信號完整性 摘要：為滿足高密度封裝的可擴展性需求，提出了一種基板邊緣互連結構，該結構在提升擴展能力的同時會引入阻抗失配與損耗等信號完整性問題。以常規傳輸鏈路為參照，對比分析了該結構在信號完整性、時域反射及眼圖方面的性能。結果表明，該結構在眼高、眼寬等指標上略低于常規結構，但仍滿足25 Gbit/s高速鏈路的信號完整性要求。為提高仿真效率，建立了等效簡化模型，在效率提高97%的同時，其S參數與原始模型最大偏差僅為2 ... 基于BPINN的封裝基板殘余應變反演與翹曲預測模型 摘要：電子封裝基板各層材料在加工過程中產生的殘余應變是導致基板翹曲的關鍵影響因素，然而該殘余應變難以準確測試。現有基板翹曲預測方法多采用整板殘余應變進行建模，未考慮基板中每層殘余應變的影響。基于此，推導了考慮基板各層材料殘余應變影響的基板翹曲理論解，結合貝葉斯物理信息神經網絡(BPINN)模型，通過基板翹曲實測結果反演符合物理規律的各層材料殘余應變，并將其引入模型以實現基板翹曲的高精度預測。研究結果表明... 改進YOLOv4-tiny芯片表面缺陷檢測算法及其硬件加速器實現 摘要：芯片表面缺陷具有類型多樣、特征復雜等特點，但現有深度學習算法存在復雜度高、嵌入式部署實時性不足及資源消耗大等問題。為解決上述問題，提出了一種改進的YOLOv4-tiny芯片表面缺陷檢測算法YOLOv4-chip,并基于ZYNQ異構平臺完成了硬件加速器的設計與實現。在算法層面，采用輕量化的殘差結構(RES-DP)以降低算法復雜度；引入高效通道注意力機制(ECA)以提高算法檢測精度。在硬件層面，設計卷... 一種高速頻率校準的寬帶K波段頻率合成器 摘要：為應對如今通信系統、雷達系統及測試儀器向更高頻段、更寬帶寬發展，滿足快速跳頻、低相位噪聲和高集成度等應用需求，采用0.13μm SiGe BiCMOS工藝設計了一款集成壓控振蕩器(VCO)的K波段頻率合成器。該電路嵌入了VCO自動頻率校準(AFC)算法，從7.2 GHz跳頻至14.4 GHz約需35μs。由于高速N分頻器沒有預分頻器，因此相較傳統電路可減少雜散。該電路內部集成了低壓差線性穩壓器(L... 相關電子信息期刊推薦 核心期刊推薦
