【雜志簡(jiǎn)介】

　　《人工晶體學(xué)報(bào)》是由中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)晶體生長(zhǎng)與材料分會(huì)和中非人工晶體研究院聯(lián)合主辦，由《人工晶體學(xué)報(bào)》編輯委員會(huì)編輯，人工晶體學(xué)報(bào)社出版的國(guó)家級(jí)學(xué)術(shù)性期刊，是我國(guó)唯一專門刊登人工晶體材料這一高新技術(shù)研究領(lǐng)域成果的學(xué)術(shù)性刊物。《人工晶體學(xué)報(bào)》以“讓中國(guó)晶體走向世界讓世界關(guān)注中國(guó)晶體”為己任，論文年內(nèi)容集中反映了我國(guó)人工晶體材料研究領(lǐng)域的最新成果，覆蓋了本學(xué)科的所有研究項(xiàng)目和應(yīng)用領(lǐng)域，成為世界了解我國(guó)人工晶體材料研究領(lǐng)域的重要窗口。《人工晶體學(xué)報(bào)》以論文和簡(jiǎn)報(bào)等形式及時(shí)報(bào)道我國(guó)在晶體材料：半導(dǎo)體材料、光電子材料、壓電晶體材料、納米材料、薄膜材料、超硬材料和高技術(shù)陶瓷等在理論研究、生長(zhǎng)技術(shù)、性能、品質(zhì)鑒定、原料制備，以及應(yīng)用技術(shù)和加工等方面的最新科研成果，同時(shí)介紹國(guó)內(nèi)外晶體材料的發(fā)展動(dòng)態(tài)與學(xué)術(shù)交流活動(dòng)及會(huì)展信息。刊戶覆蓋以上各行業(yè)的大專院校、科研院所、生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)單位和省(市)圖書館、政府相關(guān)部門，該刊已在美、日、英、俄、德等國(guó)家和地區(qū)發(fā)行。學(xué)報(bào)編委會(huì)由全國(guó)30多位知名院士、教授和專家組成，負(fù)責(zé)確定《學(xué)報(bào)》的辦刊宗旨及審定論文的質(zhì)量。

　　本刊為美國(guó)《工程索引》(EI)收錄源期刊;此外，早已收錄《學(xué)報(bào)》的其它國(guó)際著名檢索系統(tǒng)有：美國(guó)《化學(xué)文摘》(CA)，英國(guó)《科學(xué)文摘》(INSPEC)，日本《科技文獻(xiàn)速報(bào)》(JICST)，俄羅斯《文摘雜志》(AJ)。在國(guó)內(nèi)，《人工晶體學(xué)報(bào)》為"中文核心期刊";已被《中國(guó)科技文獻(xiàn)數(shù)據(jù)庫(kù)》收錄，全文內(nèi)容在"萬(wàn)方數(shù)據(jù)--數(shù)字化期刊群"系統(tǒng)上網(wǎng);被《中國(guó)期刊網(wǎng)》、《中國(guó)學(xué)術(shù)期刊(光盤版)》全文收錄;是《中國(guó)學(xué)術(shù)期刊綜合評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)庫(kù)》來(lái)源期刊;《中國(guó)學(xué)術(shù)期刊文摘》首批收錄的源期刊。本刊曾榮獲“全國(guó)優(yōu)秀科技期刊”獎(jiǎng),并多次榮獲部級(jí)“科技優(yōu)秀期刊”等多種獎(jiǎng)勵(lì)。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，目前《人工晶體學(xué)報(bào)》日益受到國(guó)內(nèi)外讀者的廣泛歡迎，受到美國(guó)、俄羅斯、日本、捷克等國(guó)外科研企業(yè)的高度關(guān)注，國(guó)外有關(guān)公司已通過(guò)《學(xué)報(bào)》所展示的信息與國(guó)內(nèi)有關(guān)單位進(jìn)行了廣泛接觸與交流。他們的目標(biāo)是追蹤高科技前沿，主推高學(xué)術(shù)水平，展示技術(shù)與工程的結(jié)合，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。

　　【收錄情況】

　　國(guó)家新聞出版總署收錄

　　1997年獲全國(guó)第二屆優(yōu)秀科技期刊獎(jiǎng)

　　1987年獲優(yōu)秀編輯二等獎(jiǎng)

　　1989年獲優(yōu)秀期刊獎(jiǎng)

　　【欄目設(shè)置】

　　主要欄目：學(xué)術(shù)論文、簡(jiǎn)報(bào)。

　　雜志優(yōu)秀目錄參考：

　　1 制約硅晶片減薄因素研究分析 劉騰云;葛培琪;高玉飛; 1719-1724

　　2 應(yīng)變對(duì)單層碘化鉛的能帶及光電導(dǎo)率影響的第一性原理研究 郝東;朱世富;趙北君;朱興華;何知宇;楊定宇;孫輝; 1725-1730+1747

　　3 YBCO/ND-Y_2O_3/YBCO超導(dǎo)薄膜的制備及其特性研究 汪薪生;郭峰;任澤龍;李國(guó)興;張寶林; 1731-1735

　　4 聚吡咯修飾鋰釩氧納米管的制備及其電化學(xué)性能研究 崔朝軍;孫興川;李現(xiàn)常;李成波;牛永生; 1736-1740+1747

　　5 4H-SiC的強(qiáng)氧化液化學(xué)機(jī)械拋光(英文) 梁慶瑞;胡小波;陳秀芳;徐現(xiàn)剛;宗艷民;王希杰; 1741-1747

　　6 基于負(fù)性光刻膠掩膜的濕法多晶硅制絨 丁彬;程現(xiàn)鐵;徐國(guó)慶;張宏; 1748-1753

　　7 PET在乙酸溶液中的晶體生長(zhǎng)探索 蘇佳樂(lè);常新安;陳學(xué)安;肖衛(wèi)強(qiáng);張書峰;臧和貴; 1754-1757

　　8 Sc_2O_3對(duì)水熱法生長(zhǎng)ZnO晶體的影響 左艷彬;周海濤;王金亮;何小玲;任孟德;張昌龍; 1758-1763

　　9 氯氧化鉍晶體的制備及其表征研究 馬春陽(yáng);吳飛飛;王金東;肖清貴;徐紅彬; 1764-1767+1772

　　10 近紫外白光LED用KBa_2(NbO_3)_5∶Eu3+紅色熒光粉的合成與發(fā)光性能 李登宇;王海波;朱月華;邢海東;施豐華;卓寧澤; 1768-1772

　　11 三元納米層狀Ta_2AlC原位合成機(jī)制 田寶娜;應(yīng)國(guó)兵;王鵬舉;王乘;吳玉萍; 1773-1777

　　12 負(fù)極集流體為CNT導(dǎo)電紙的鋰離子電池及其性能 劉珍紅;孫曉剛;吳小勇;龐志鵬;聶艷艷;岳立福; 1778-1782

　　13 ZnO/TiO_2復(fù)合光陽(yáng)極染料敏化太陽(yáng)能電池的研究 王艷香;高智丹;楊志勝;黃麗群;李家科;孫健; 1783-1789

　　電子技術(shù)應(yīng)用論文：基于隨機(jī)森林的跌倒檢測(cè)算法

　　摘要：針對(duì)現(xiàn)有跌倒檢測(cè)算法由于缺乏真實(shí)老人跌倒樣本以及使用年輕人仿真跌倒樣本規(guī)模較小導(dǎo)致的過(guò)擬合和適應(yīng)性不足等問(wèn)題，提出了基于隨機(jī)森林的跌倒檢測(cè)算法。該算法采用滑動(dòng)窗口機(jī)制，對(duì)窗口內(nèi)的加速度數(shù)據(jù)進(jìn)行時(shí)間域和變換域處理，提取時(shí)間域和變換域特征參數(shù)后，在所有樣本集中進(jìn)行有放回的Bootstrap隨機(jī)抽樣和屬性隨機(jī)選擇，構(gòu)建多個(gè)基于最佳屬性分割的支持向量機(jī)(SVM)基本分類器。在線跌倒檢測(cè)階段，對(duì)多個(gè)SVM基本分類器的分類結(jié)果采用少數(shù)服從多數(shù)的原則，給出最終判定結(jié)果。實(shí)驗(yàn)表明，隨機(jī)森林跌倒檢測(cè)算法可獲得95.2%的準(zhǔn)確率、90.6%的敏感度和93.5%的特異性，明顯優(yōu)于基于SVM和反向傳播(BP)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)跌倒檢測(cè)算法，反映出隨機(jī)森林跌倒檢測(cè)算法能更準(zhǔn)確地檢測(cè)跌倒行為，具有較強(qiáng)的泛化能力和魯棒性。

　　關(guān)鍵詞：跌倒檢測(cè),隨機(jī)森林,支持向量機(jī),反向傳播神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),屬性

　　人工晶體學(xué)報(bào)最新期刊目錄

4-氯苯磺酸鈉多功能添加劑實(shí)現(xiàn)高效碳基CsPbI₂Br太陽(yáng)能電池

摘要：碳基無(wú)空穴傳輸層CsPbI₂Br鈣鈦礦太陽(yáng)能電池因低廉的制備成本和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性而備受關(guān)注。然而，由于CsPbI₂Br薄膜在快速結(jié)晶過(guò)程會(huì)產(chǎn)生高密度缺陷，引起陷阱輔助的非輻射復(fù)合與離子遷移問(wèn)題，顯著加劇器件能量損失與性能衰退。本研究采用簡(jiǎn)單實(shí)用的添加劑策略，通過(guò)4-氯苯磺酸鈉（Na-4Cl-BZS）中陰(4Cl-BZS^-)陽(yáng)(Na<...

Fe/Co摻雜對(duì)單層NiBr₂電磁性能影響的第一性原理研究

摘要：二維磁性材料的性能調(diào)控對(duì)發(fā)展納米自旋電子器件至關(guān)重要。為了理解Fe/Co摻雜對(duì)單層NiBr₂電磁性能的調(diào)控機(jī)理，本文通過(guò)第一性原理系統(tǒng)地研究了Fe/Co摻雜對(duì)單層NiBr₂電磁性能的影響。就結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性而言，隨著Br原子化學(xué)勢(shì)的變化，F(xiàn)e原子摻雜比本征結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。同時(shí)，當(dāng)Br的化學(xué)勢(shì)處于特定范圍(-1.12 eV＜μ_Br＜-0.50 ...

Eu²⁺摻雜Cs₂BaBr₄晶體的生長(zhǎng)和閃爍性能研究

摘要：采用坩堝下降法成功生長(zhǎng)出Cs₂BaBr₄:x% Eu²⁺ （x=1、2、4、8）晶體。通過(guò)X射線粉末衍射和熱重測(cè)試進(jìn)行物相分析，結(jié)果表明晶體為一致熔融物，隨著Eu²⁺離子濃度的增加，衍射峰向小角度偏移。測(cè)試了晶體的光學(xué)透射率、光致發(fā)光、X射線激發(fā)發(fā)光和衰減時(shí)間等光學(xué)和閃爍性能，并對(duì)比分析了晶體與Rb_2...

紫外氟化鈣晶體的生長(zhǎng)技術(shù)

摘要：氟化鈣（CaF₂）晶體具有極高的紫外光透過(guò)率（>90%@157 nm）、高的激光損傷閾值和低折射率，是實(shí)現(xiàn)深紫外光刻的關(guān)鍵材料。隨著半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)高精度和高分辨率光刻技術(shù)的不斷追求，高品質(zhì)氟化鈣晶體及其生長(zhǎng)成為人們關(guān)注的焦點(diǎn)。本文首先介紹了CaF₂晶體的結(jié)構(gòu)和性能特點(diǎn)，以及常見(jiàn)的晶體缺陷，列舉了其在光刻系統(tǒng)中的應(yīng)用要求；隨后，介紹了紫外CaF

非化學(xué)計(jì)量比氧化鎢(WO_3-x)催化甲烷氧化制甲醇反應(yīng)的第一性原理研究

摘要：甲烷氧化制甲醇的關(guān)鍵挑戰(zhàn)在于催化劑對(duì)CH₄分子的高效活化。非化學(xué)計(jì)量比WO_3-x（0<x<3）因氧空位的可控性，兼具結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性與導(dǎo)電性優(yōu)勢(shì)，成為新型催化材料的研究熱點(diǎn)。本文采用密度泛函理論方法，系統(tǒng)研究了六種不同WO_3-x催化甲烷氧化制甲醇的性能，并從物質(zhì)結(jié)構(gòu)、表面位點(diǎn)、甲烷氧化性能和電子性質(zhì)等多個(gè)角度解析了過(guò)程機(jī)制。結(jié)...

金屬鹵化物鈣鈦礦單晶結(jié)構(gòu)維度調(diào)控及其直接型X射線探測(cè)性能研究進(jìn)展

摘要：X射線探測(cè)在醫(yī)療診斷、安防安檢、工業(yè)無(wú)損探傷和環(huán)境監(jiān)測(cè)等重要領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。金屬鹵化物鈣鈦礦單晶因組分多樣、X射線吸收強(qiáng)、載流子遷移率-壽命乘積高、可低溫溶液生長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì)，有望用于低成本高性能X射線探測(cè)系統(tǒng)開發(fā)。本文在詳細(xì)介紹金屬鹵化物鈣鈦礦單晶的結(jié)構(gòu)維度調(diào)控及其對(duì)X射線探測(cè)性能影響的基礎(chǔ)上，綜述了鈣鈦礦單晶直接型X射線探測(cè)器的最新研究進(jìn)展。通過(guò)對(duì)不同結(jié)構(gòu)維度鈣鈦礦單晶的生長(zhǎng)方法、半導(dǎo)體特性、X...

透明導(dǎo)電薄膜的紅外可見(jiàn)光兼容隱身的厚度依賴性研究

摘要：采用直流磁控濺射法，通過(guò)對(duì)透明導(dǎo)電氧化物薄膜氧化銦錫（ITO）進(jìn)行結(jié)構(gòu)調(diào)控，并分析其中的載流子濃度、遷移率變化，著重探究了薄膜的厚度對(duì)紅外波段反射率的影響，詮釋了薄膜厚度與光電性能之間的構(gòu)效關(guān)系。通過(guò)設(shè)定特定的濺射功率、襯底溫度、氣氛來(lái)控制ITO薄膜的薄膜厚度，得到了100～500 nm厚度的薄膜，實(shí)現(xiàn)了高（400）取向、高紅外反射率、高可見(jiàn)光透過(guò)率的氧化銦錫薄膜的制備。構(gòu)建的特殊膜層厚度，構(gòu)成了...

重?fù)戒R直拉硅單晶中管道問(wèn)題的數(shù)值模擬

摘要：在<111>晶向重?fù)戒R硅單晶晶棒拉制過(guò)程中經(jīng)常出現(xiàn)由于小平面效應(yīng)而產(chǎn)生的中心管道，從而影響最終硅片質(zhì)量，因此迫切需要解決此問(wèn)題。本研究針對(duì)8英寸（1英寸=2.54 cm）直拉重?fù)戒R硅單晶中心管道問(wèn)題提出理論解決方案并采用CGSim軟件進(jìn)行模擬驗(yàn)證。結(jié)果表明：增大拉晶速度（V）和晶體旋轉(zhuǎn)速度（M）同時(shí)減小坩堝旋轉(zhuǎn)速度（N）可以有效抑制小平面效應(yīng)，顯著改善固液界面形狀、增大溫度梯度、增大固...

硒添加量對(duì)硒化鎘單晶電學(xué)和光學(xué)性能的影響研究

摘要：采用有籽晶的高壓布里奇曼法生長(zhǎng)出CdSe單晶，并對(duì)不同Se添加量的CdSe單晶進(jìn)行了性能研究。結(jié)果表明，添加的Se填充了單晶中的V_Se，降低了Cd/Se質(zhì)量比，并未影響晶體的Raman特征峰。進(jìn)而對(duì)添加Se的CdSe晶體的電學(xué)性能、光學(xué)性能和夾雜相進(jìn)行了分析，數(shù)據(jù)表明，添加的Se填充V_Se后，降低了CdSe單晶中的自由載流子濃度，提升了單晶電阻率，減弱了...

低溫超臨界流體工藝對(duì)退化的Ni/β-Ga₂O₃肖特基勢(shì)壘二極管電學(xué)性能的影響

摘要：先進(jìn)半導(dǎo)體工藝是提升β-Ga₂O₃基器件電學(xué)性能和修復(fù)其在工作環(huán)境中性能退化效應(yīng)的關(guān)鍵技術(shù)。近年來(lái)，低溫超臨界流體工藝在降低半導(dǎo)體器件界面態(tài)、修復(fù)刻蝕工藝損傷和提高器件穩(wěn)定性等方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。本研究采用130 ℃和20 MPa的N₂O流體，對(duì)暴露在空氣環(huán)境中導(dǎo)致電學(xué)性能退化的Ni/β-Ga₂O_3<...

二維單層TiCuX₂（X=S， Se， Te）的第一性原理研究

摘要：為探究二維磁性材料中過(guò)渡金屬原子的數(shù)量對(duì)磁性的影響，以及尋找具有優(yōu)良性質(zhì)的磁性二維材料，本文基于密度泛函理論，借助第一性原理計(jì)算軟件VASP，對(duì)二維單層TiCuX₂ （X=S， Se， Te）進(jìn)行了系統(tǒng)的理論研究。主要計(jì)算了三種材料的電子結(jié)構(gòu)、穩(wěn)定性、磁性、原子交換相互作用、居里溫度，形成能和聲子譜的計(jì)算結(jié)果證明了這三種材料的穩(wěn)定性；電子結(jié)構(gòu)和磁性計(jì)算分析表明，除TiCuS<...

一例二維鈷金屬有機(jī)框架材料的合成、晶體結(jié)構(gòu)及水中熒光識(shí)別性能研究

摘要：本文以間苯二甲酸(H₂IPA)和1，3，5-三（1-咪唑基）苯（TIB）為混合配體，硝酸鈷為金屬源，通過(guò)溶劑熱法合成了一例新型二維鈷金屬有機(jī)框架化合物{[Co（IPA）(TIB)]·2H₂O}_n （Co-MOF）。通過(guò)單晶X射線衍射、粉末X射線衍射、紅外光譜、熱重分析及熒光光譜等手段對(duì)其結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行了系統(tǒng)表征。單晶衍射結(jié)果表明，該...

YPO₄雙折射率增益機(jī)制和晶格工程調(diào)控策略研究

摘要：稀土磷酸鹽因具有較大的帶隙和較好的光學(xué)特性，被認(rèn)為是一種重要的紫外/深紫外光學(xué)材料。在這項(xiàng)工作中，通過(guò)高通量篩選無(wú)機(jī)晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(kù)(ICSD)，獲得了磷酸釔（YPO4）晶體的兩種相似結(jié)構(gòu)Ⅰ（No.24514）、Ⅱ（No.133671）。運(yùn)用第一性原理系統(tǒng)研究了Ⅰ和Ⅱ的電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)，利用計(jì)算機(jī)仿真研究了直接改變晶格常數(shù)調(diào)控晶體YPO4帶隙和雙折射的可行性與可靠性。研究結(jié)果表明，晶格工程調(diào)控下晶...

高性能鋰離子電池納米Fe₂O₃/竹葉碳復(fù)合負(fù)極材料

摘要：作為鋰離子電池負(fù)極材料的過(guò)渡金屬氧化物，F(xiàn)e₂O₃具有高理論比容量（1007 mAh/g）、儲(chǔ)量豐富和環(huán)境友好性等優(yōu)點(diǎn)。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，低導(dǎo)電性和循環(huán)過(guò)程中較高的體積效應(yīng)限制了其性能的發(fā)揮。引入碳基質(zhì)和納米化是解決上述問(wèn)題的有效策略。竹葉碳材料具有成本低、產(chǎn)量大的優(yōu)勢(shì)，將其作為碳基質(zhì)可以提高復(fù)合材料的導(dǎo)電性，并緩沖負(fù)極活性材料的體積膨脹。本文以來(lái)源豐...

高遷移率的硼摻雜單晶金剛石微波等離子體化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)及電學(xué)性質(zhì)研究

摘要：高結(jié)晶質(zhì)量、高遷移率的硼摻雜單晶金剛石薄膜是實(shí)現(xiàn)高耐壓高功率電子器件的關(guān)鍵。本研究采用微波等離子體化學(xué)氣相沉積（MPCVD）技術(shù)，結(jié)合兩步生長(zhǎng)法與低溫氧氣輔助生長(zhǎng)策略，成功制備了高遷移率的硼摻雜單晶金剛石，并實(shí)現(xiàn)了其電學(xué)性能的廣泛調(diào)控。所生長(zhǎng)薄膜的X射線衍射峰半峰全寬（FWHM）小于60″，空穴濃度可在10¹⁴～10¹⁷ cm^-3調(diào)...

有機(jī)共晶的設(shè)計(jì)及制備方法研究進(jìn)展

摘要：有機(jī)共晶是一種新型的功能材料，由兩種或多種有機(jī)分子通過(guò)非共價(jià)相互作用協(xié)同組裝形成的多功能晶體。這類材料通過(guò)調(diào)控供體（D）與受體（A）的分子組成和組裝方式，突破單一組分性能限制，展現(xiàn)出多樣的堆積方式，具有豐富的分子間相互作用和豐富的功能成分，其物理化學(xué)性質(zhì)可以根據(jù)不同的要求進(jìn)行定制，并呈現(xiàn)出新穎的特性。隨著有機(jī)共晶在光電材料和藥物制劑等領(lǐng)域的突破性應(yīng)用，其制備方法成為材料研究的核心挑戰(zhàn)。如何合理設(shè)計(jì)...

KNbO₃高壓下相變行為的第一性原理研究

摘要：為了深入掌握鈣鈦礦氧化物KNbO₃在高壓條件下的相變行為，并為鐵電材料在極端條件下的工程應(yīng)用提供關(guān)鍵參數(shù)，本文采用基于密度泛函理論的第一性原理方法，在絕對(duì)零度（0 K）條件下，對(duì)KNbO₃高壓下的結(jié)構(gòu)相變、彈性性質(zhì)及電子性質(zhì)進(jìn)行系統(tǒng)研究。計(jì)算結(jié)果表明，在零壓下，KNbO₃的最穩(wěn)定結(jié)構(gòu)為正交Amm2結(jié)構(gòu)，材料表現(xiàn)為延展性，且為中心力固...

[Cu₂（HBTC）₂（4， 4′-bpy）₂·5H₂O]配合物的合成、結(jié)構(gòu)及性能研究

摘要：以1， 3， 5-均苯三甲酸(H₃BTC)和4， 4′-聯(lián)吡啶（4， 4′-bpy）為有機(jī)配體，Cu（Ac）?·H?O作為銅源，通過(guò)水熱法成功合成了一種二維（2D）銅基-有機(jī)框架（MOF），Cu₂（HBTC）₂（4， 4′-bpy）₂·5H₂O（配合物1）。采用X射線衍射、元素分析和傅里葉...

Zn離子摻雜γ子摻雜γ晶體的生長(zhǎng)及閃爍性能的研究

摘要：本文采用重結(jié)晶法和區(qū)域熔煉法提純?chǔ)?CuI原料，使用坩堝下降法生長(zhǎng)出了不同Zn離子濃度摻雜的γ-CuI單晶，并對(duì)其晶體結(jié)構(gòu)、光致發(fā)光、X射線激發(fā)發(fā)射光譜和熒光壽命進(jìn)行了詳細(xì)研究。XRD和SEM測(cè)試結(jié)果表明，所合成的樣品為高純的γ-CuI，Zn離子能摻入γ-CuI單晶中。光致發(fā)光光譜和X射線激發(fā)光譜結(jié)果表明，Zn離子摻雜后自由激子和Cu⁺空位的發(fā)射得到增強(qiáng)，深能級(jí)發(fā)射被抑制。在...

編者按 “鈣鈦礦單晶與薄膜材料”專題

摘要：鈣鈦礦材料具有優(yōu)異的光電性能和可調(diào)控的結(jié)構(gòu)形態(tài)，在太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管、輻射探測(cè)及光催化等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。金屬鹵化物單晶與薄膜鈣鈦礦是一類重要的鈣鈦礦材料，憑借其結(jié)構(gòu)、性能可設(shè)計(jì)性及工藝兼容性等特點(diǎn)，已成為領(lǐng)域的核心研究方向。然而，單晶生長(zhǎng)與結(jié)構(gòu)調(diào)控、薄膜均勻性和穩(wěn)定性、規(guī)模化量產(chǎn)，以及含鉛材料的環(huán)保性等問(wèn)題仍是該類材料產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中面臨的核心挑戰(zhàn)。為此，我國(guó)廣大科技工作者凝心聚力，面向...

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